[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201911044198.2
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN111128738B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 劉思杰;聶俊峰;張惠政
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H10B10/00;H01L29/78
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 桑敏

1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

對半導體襯底執行第一注入工藝以形成深p阱區域；

利用擴散阻滯元素對所述半導體襯底執行第二注入工藝以形成共同注入區域；

對所述半導體襯底執行第三注入工藝，以在所述深p阱區域上方形成淺p阱區域，其中，所述共同注入區域通過所述淺p阱區域的一部分與所述半導體襯底的頂表面間隔開，并且所述深p阱區域和所述淺p阱區域彼此連接；以及

形成n型鰭式場效應晶體管，所述深p阱區域和所述淺p阱區域用作所述n型鰭式場效應晶體管的阱區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第二注入工藝中，注入碳。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

對所述半導體襯底進行注入，以形成連接所述深p阱區域和所述淺p阱區域的n阱區域。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第二注入工藝包括傾斜注入，并且所述共同注入區域延伸至所述n阱區域中。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

蝕刻所述半導體襯底以形成延伸到所述半導體襯底中的第一溝槽和第二溝槽，其中，所述深p阱區域的一部分和所述淺p阱區域的一部分位于所述第一溝槽和所述第二溝槽之間，并且其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽的底部低于所述共同注入區域的底部。

6.?根據權利要求5所述的方法，還包括：

填充所述第一溝槽和所述第二溝槽，以分別形成第一隔離區域和第二隔離區域；以及

凹陷所述第一隔離區域和所述第二隔離區域。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一隔離區域和所述第二隔離區域的頂表面與所述共同注入區域的頂表面齊平。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一隔離區域和所述第二隔離區域的頂表面低于所述共同注入區域的頂表面。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括對所述半導體襯底進行注入以在所述共同注入區域中形成抗穿通區域。

10.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體襯底上方形成第一注入掩模；

對所述半導體襯底執行第一注入工藝以形成p阱區域，其中，通過所述第一注入掩模來執行所述第一注入工藝；

對所述半導體襯底執行第二注入工藝以形成共同注入區域，其中，通過所述第一注入掩模來注入碳；

去除所述第一注入掩模；

在所述半導體襯底上方形成第二注入掩模；

對所述半導體襯底執行第三注入工藝，以形成與所述p阱區域連接的n阱區域，其中，通過所述第二注入掩模來執行所述第三注入工藝；以及

分別基于所述p阱區域和所述n阱區域來形成n型鰭式場效應晶體管和p型鰭式場效應晶體管。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第二注入工藝包括通過所述第一注入掩模的傾斜注入。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第二注入工藝除了所述傾斜注入之外還包括旋轉注入。

13.根據權利要求10所述的方法，還包括：

蝕刻所述半導體襯底以形成延伸到所述半導體襯底中的第一溝槽和第二溝槽，其中，所述p阱區域的一部分位于所述第一溝槽和所述第二溝槽之間，并且其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽的底部低于所述共同注入區域的底部。