[發明專利]光學模塊及其制造方法有效
| 申請號: | 201911043925.3 | 申請日: | 2019-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN111381327B | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發明(設計)人: | 柴田康平;伊藤達也 | 申請(專利權)人: | 富士通光器件株式會社 |
| 主分類號: | G02B6/42 | 分類號: | G02B6/42 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 張美芹;劉久亮 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 模塊 及其 制造 方法 | ||
一種光學模塊及其制造方法,該光學模塊包括:光學半導體芯片,其具有第一表面,該第一表面包括激光束照射區域和解理區域;光纖,其光學耦合至所述第一表面;和支撐構件,其具有結合至所述第一表面的第二表面,并被構造成支撐所述光纖。所述光學半導體芯片具有位于解理區域中的光學信號輸入和輸出部分,并且所述第二表面在所述解理區域內結合至所述第一表面。
技術領域
本文中討論的實施方式涉及光學模塊及其制造方法。
背景技術
作為從半導體晶圓切出多個半導體芯片的方法,存在將激光束照射在半導體晶圓的待切割部分上的已知方法,例如隱形切割技術。根據該已知方法,與切割方法相比,可以減少切割半導體晶圓所需的時間。
然而,通過照射激光束的已知方法獲得的半導體芯片的切割表面比通過切割方法獲得的半導體芯片的切割表面更粗糙。為此,當使用該已知方法從半導體晶圓切出半導體芯片并且借助對接接頭將光纖連接至切割表面時,因為光纖與半導體芯片的輸入和輸出部分分開與切割表面的粗糙度相對應的量,所以光學信號容易衰減。換句話說,在對接接頭處的光耦合損耗變大。
例如,日本特開2002-192370號公報(現日本專利3408805號)和日本特開2006-068816號公報(現日本專利4197693號)中描述了激光束加工的實施例。
發明內容
因此,實施方式的一個方面的目的是提供一種光學模塊及其制造方法,其能夠減少對接接頭處的光耦合損失。
根據實施方式的一個方面,一種光學模塊包括:光學半導體芯片,其具有第一表面,該第一表面包括激光束照射區域和解理區域;光纖,其光學耦合至所述第一表面;和支撐構件,其具有結合至所述第一表面的第二表面,并被構造成支撐所述光纖,其中,所述光學半導體芯片具有位于解理區域中的光學信號輸入和輸出部分,并且其中所述第二表面在所述解理區域內結合至所述第一表面。
本發明的目的和優點將借助于權利要求中特別指出的要素和組合來實現和獲得。
應當理解,如所聲稱的,前面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的,并且不限制本發明。
附圖說明
圖1是示出根據一個實施方式的光學模塊的結構的立體圖。
圖2是示出根據一個實施方式的光學模塊的結構的分解立體圖。
圖3是示出模式直徑為4μm的情況下的公差的實施例的圖。
圖4是示出解理區域內的變形區域的圖。
圖5是示出支撐構件的另一實施例的立體圖。
圖6是示出支撐構件的又一實施例的立體圖。
圖7是示出剪切強度的分布的圖。
圖8A是用于說明根據一個實施方式的光學模塊的制造方法的平面圖。
圖8B是用于說明根據一個實施方式的光學模塊的制造方法的平面圖。
圖8C是用于說明根據一個實施方式的光學模塊的制造方法的平面圖。
圖9是示出隱形切割之前的半導體晶圓的立體圖。
具體實施方式
將參考附圖描述本發明的優選實施方式。
現在將根據本發明的每個實施方式描述光學模塊及其制造方法。在附圖中,功能上相同的那些部分由相同的附圖標記表示,并且可以省略對功能相同的部分的重復描述。
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