[發(fā)明專利]一種類金剛石膜玻璃的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911043039.0
• 申請(qǐng)日: 2019-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112746255A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧三軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞新科技術(shù)研究開(kāi)發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06;C23C14/12
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發(fā)明提供了一種類金剛石膜玻璃的制備方法，包括以下步驟：(1)在玻璃基材表面形成二氧化硅層；(2)在步驟(1)處理后的玻璃基材的二氧化硅層上形成含氫類金剛石鍍膜層；(3)在步驟(2)處理后的玻璃基材的含氫類金剛石鍍膜層上形成高透防指紋AF膜層。本發(fā)明的方法極大的改善了制備得到的玻璃的硬度和耐磨性，降低了親水性，避免了水的附著而可能導(dǎo)致異物的沾附，而且首先在玻璃基材上形成二氧化硅層，使得含氫類金剛石鍍膜層和高透防指紋AF膜層與玻璃基材之間具有很好的結(jié)合力，避免了含氫類金剛石鍍膜層和高透防指紋AF膜層的脫落，而且本發(fā)明方法得到的玻璃的透光性能良好。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于玻璃制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種類金剛石膜玻璃的制備方法。

背景技術(shù)

隨著社會(huì)的快速發(fā)展，玻璃也越來(lái)越普及。玻璃在應(yīng)用于顯示器時(shí)，在日常使用過(guò)程中，很容易產(chǎn)生刮擦造成表面劃傷劃花，而且也容易沾水，這樣都會(huì)導(dǎo)致玻璃透光而影響視覺(jué)體驗(yàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處而提供一種類金剛石膜玻璃的制備方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：一種類金剛石膜玻璃的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)以硅為靶材在玻璃基材表面形成二氧化硅層；

(2)在步驟(1)處理后的玻璃基材的二氧化硅層上形成含氫類金剛石鍍膜層；

(3)在步驟(2)處理后的玻璃基材的含氫類金剛石鍍膜層上形成高透防指紋AF膜層(AF膜)。

上述方法通過(guò)依次在玻璃基材表面形成二氧化硅層、含氫類金剛石鍍膜層和高透防指紋AF膜層，極大的改善了制備得到的玻璃的硬度和耐磨性，降低了親水性，避免了水的附著而可能導(dǎo)致異物的沾附，而且首先在玻璃基材上形成二氧化硅層，使得含氫類金剛石鍍膜層和高透防指紋AF膜層與玻璃基材之間具有很好的結(jié)合力，避免了含氫類金剛石鍍膜層和高透防指紋AF膜層的脫落，而且本發(fā)明方法得到的玻璃的透光性能良好。

優(yōu)選地，所述步驟(1)中，將玻璃基材置于真空度為3.0×10^-6～6.0×10^-6mTorr的環(huán)境下，以硅為靶材通入氬氣和氧氣進(jìn)行磁控濺射在玻璃基材表面形成二氧化硅層。

優(yōu)選地，所述步驟(1)中，氬氣的流量為90～110sccm，O₂的流量為28～32sccm。

發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，上述的方法在形成二氧化硅層的過(guò)程中，當(dāng)氬氣的流量為90～110sccm，O₂的流量為28～32sccm時(shí)，既能夠更好的控制二氧化硅層厚度的均勻性，而且使用的氬氣和氫氣的量最少。

優(yōu)選地，所述步驟(1)中，磁控濺射過(guò)程中，Ar離子束入射角度為28～32度，刻蝕速率為硅靶材的功率為1.0～6.0kW。

優(yōu)選地，所述步驟(2)中，將步驟(1)處理后的玻璃基材置于真空度為5.0×10^-6～8.0×10^-6mTorr的環(huán)境下，以石墨為靶材通入氬氣和氫氣進(jìn)行磁控濺射在玻璃基材的二氧化硅層上形成含氫類金剛石鍍膜層。

優(yōu)選地，所述步驟(2)中，氬氣的流量為18～22sccm，氫氣的流量為10～30sccm。

發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，上述的方法在形成含氫類金剛石鍍膜層的過(guò)程中，當(dāng)氬氣的流量為18～22sccm，氫氣的流量為10～30sccm時(shí)，既能夠保證含氫類金剛石鍍膜層厚度的均勻性，也能節(jié)約氣體流量。

優(yōu)選地，所述步驟(2)中，磁控濺射的氣壓為4.0～5.0mTorr，磁控濺射的電壓為650～700V，磁控濺射的時(shí)間為20～30s。

優(yōu)選地，所述步驟(3)中，高透防指紋AF膜層的厚度為8～12nm。