[發明專利]一種類金剛石膜玻璃的制備方法

在審

• 申請號: 201911043039.0
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN112746255A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 鄧三軍
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06;C23C14/12
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種類金剛石膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)以硅為靶材在玻璃基材表面形成二氧化硅層；

(2)在步驟(1)處理后的玻璃基材的二氧化硅層上形成含氫類金剛石鍍膜層；

(3)在步驟(2)處理后的玻璃基材的含氫類金剛石鍍膜層上形成高透防指紋AF膜層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，將玻璃基材置于真空度為3.0×10^-6～6.0×10^-6mTorr的環境下，以硅為靶材通入氬氣和氧氣進行磁控濺射在玻璃基材表面形成二氧化硅層。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，氬氣的流量為90～110sccm，O₂的流量為28～32sccm。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，磁控濺射過程中，Ar離子束入射角度為28～32度，刻蝕速率為硅靶材的功率為1.0～6.0kW。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，將步驟(1)處理后的玻璃基材置于真空度為5.0×10^-6～8.0×10^-6mTorr的環境下，以石墨為靶材通入氬氣和氫氣進行磁控濺射在玻璃基材的二氧化硅層上形成含氫類金剛石鍍膜層。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，氬氣的流量為18～22sccm，氫氣的流量為10～30sccm。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，磁控濺射的氣壓為4.0～5.0mTorr，磁控濺射的電壓為650～700V，磁控濺射的時間為20～30s。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，高透防指紋AF膜層的厚度為8～12nm。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，在真空度為4.0×10^-6～6.0×10^-6Torr的條件下利用AF靶材形成高透防指紋AF膜層，AF靶材的材料為全氟高分子聚合物，形成高透防指紋AF膜層的功率為5.0～8.0kW。