[發明專利]影像傳感器

在審

• 申請號: 201911042630.4
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN112530983A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 鐘志平;何明祐;畢嘉慧
• 申請（專利權）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種影像傳感器，其包括基底、第一柵極、感光元件、存儲節點、至少一個第一反光層、第二反光層與第三反光層?；拙哂邢鄬Φ牡谝幻媾c第二面。第一柵極設置在第一面的基底上。感光元件位于第一柵極的一側的基底中。存儲節點位于第一柵極的另一側的基底中。第一反光層設置在基底中，且位于存儲節點的周圍。第二反光層在第一面遮蔽存儲節點，且電連接至第一反光層。第三反光層在第二面遮蔽存儲節點，且電連接第一反光層。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件，且特別是涉及一種影像傳感器。

背景技術

目前有些種類的影像傳感器(如，全域快門影像傳感器(global shutter imagesensor))具有位于基底中且用以存儲信號的存儲節點(storage node)。然而，雜散光(stray light)對存儲在存儲節點中的信號所造成的干擾(crosstalk)以及由界面缺陷所產生暗電流(dark current)，會造成影像品質不佳。因此，如何有效地防止雜散光干擾與降低暗電流為目前持續努力發展的目標。

發明內容

本發明提供一種影像傳感器，其可有效地防止雜散光干擾與降低暗電流。

本發明提出一種影像傳感器，包括基底、第一柵極、感光元件、存儲節點、至少一個第一反光層、第二反光層與第三反光層?；拙哂邢鄬Φ牡谝幻媾c第二面。第一柵極設置在第一面的基底上。感光元件位于第一柵極的一側的基底中。存儲節點位于第一柵極的另一側的基底中。第一反光層設置在基底中，且位于存儲節點的周圍。第二反光層在第一面遮蔽存儲節點，且電連接至第一反光層。第三反光層在第二面遮蔽存儲節點，且電連接第一反光層。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，第一反光層可從第一面延伸至第二面。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，第二反光層可共形地設置在第一面。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，第一反光層的材料例如是摻雜多晶硅或金屬。第二反光層的材料例如是金屬或摻雜多晶硅。第三反光層的材料例如是摻雜多晶硅或金屬。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，影像傳感器例如是背照式影像傳感器(backside illuminated image sensor，BSI image sensor)。第二反光層在第一面還可遮蔽感光元件。第三反光層可具有暴露出感光元件的開口。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，還可包括至少一個第四反光層。第四反光層設置在基底中，且位于感光元件的周圍。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，還可包括第一介電層、第二介電層、第三介電層與第四介電層。第一介電層位于第一反光層與基底之間。第二介電層位于第二反光層與基底之間。第三介電層位于第三反光層與基底之間。第四介電層位于第四反光層與基底之間。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，還可包括第五反光層。第五反光層設置在第三反光層上。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，還可包括隔離結構。隔離結構設置在基底中，且圍繞部分第一反光層。

依照本發明的一實施例所述，在上述影像傳感器中，還可包括第二柵極、第三柵極、第一柵介電層、第二柵介電層與第三柵介電層。第二柵極設置在第一面的基底上，且位于存儲節點的遠離第一柵極的一側。第三柵極設置在第一面的基底上，且位于第二柵極的遠離存儲節點的一側。第一柵介電層位于第一柵極與基底之間。第二柵介電層位于第二柵極與基底之間。第三柵介電層位于第三柵極與基底之間。