[發(fā)明專利]影像傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911042630.4
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN112530983A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐘志平;何明祐;畢嘉慧
• 申請（專利權(quán)）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種影像傳感器，其特征在于，包括：

基底，具有相對的第一面與第二面；

第一柵極，設(shè)置在所述第一面的所述基底上；

感光元件，位于所述第一柵極的一側(cè)的所述基底中；

存儲節(jié)點(diǎn)，位于所述第一柵極的另一側(cè)的所述基底中；

至少一個第一反光層，設(shè)置在所述基底中，且位于所述存儲節(jié)點(diǎn)的周圍；

第二反光層，在所述第一面遮蔽所述存儲節(jié)點(diǎn)，且電連接至所述至少一個第一反光層；以及

第三反光層，在所述第二面遮蔽所述存儲節(jié)點(diǎn)，且電連接至所述至少一個第一反光層。

2.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其中所述至少一個第一反光層從所述第一面延伸至所述第二面。

3.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其中所述第二反光層共形地設(shè)置在所述第一面。

4.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其中所述至少一個第一反光層的材料包括摻雜多晶硅或金屬，所述第二反光層的材料包括金屬或摻雜多晶硅，且所述第三反光層的材料包括摻雜多晶硅或金屬。

5.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其中所述影像傳感器為背照式影像傳感器，所述第二反光層在所述第一面還遮蔽所述感光元件，且所述第三反光層具有暴露出所述感光元件的開口。

6.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，還包括：

至少一個第四反光層，設(shè)置在所述基底中，且位于所述感光元件的周圍。

7.如權(quán)利要求6所述的影像傳感器，還包括：

第一介電層，位于所述至少一個第一反光層與所述基底之間；

第二介電層，位于所述第二反光層與所述基底之間；

第三介電層，位于所述第三反光層與所述基底之間；以及

第四介電層，位于所述第四反光層與所述基底之間。

8.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，還包括：

第五反光層，設(shè)置在所述第三反光層上。

9.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，還包括：

隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述基底中，且圍繞部分所述至少一個第一反光層。

10.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，還包括：

第二柵極，設(shè)置在所述第一面的所述基底上，且位于所述存儲節(jié)點(diǎn)的遠(yuǎn)離所述第一柵極的一側(cè)；

第三柵極，設(shè)置在所述第一面的所述基底上，且位于所述第二柵極的遠(yuǎn)離所述存儲節(jié)點(diǎn)的一側(cè)；

第一柵介電層，位于所述第一柵極與所述基底之間；

第二柵介電層，位于所述第二柵極與所述基底之間；以及

第三柵介電層，位于所述第三柵極與所述基底之間。