[發明專利]圖像傳感器倒裝芯片封裝件在審
| 申請號: | 201911040781.6 | 申請日: | 2019-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN111162098A | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發明(設計)人: | 吳文進 | 申請(專利權)人: | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/02;H01L31/0203 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 周陽君 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 倒裝 芯片 封裝 | ||
本發明題為“圖像傳感器倒裝芯片封裝件”。本發明提供了半導體封裝件的實施方式,該實施方式可以包括:半導體器件,該半導體器件包括在玻璃塊內的空腔內。封裝件還可以包括襯底,該襯底與半導體器件的第一側和玻璃塊的兩個或更多個邊緣耦接。填充材料可以被包括在襯底和第二導體設備之間,并且不透明材料可以位于半導體器件的側表面與空腔的內表面之間。不透明材料可以被配置為阻擋光接觸半導體器件的側表面。
技術領域
本文件的各方面整體涉及半導體封裝件,諸如圖像傳感器設備。特定實施方式可以用于相機或醫學成像設備中。
背景技術
半導體器件可以包括通過引線接合耦接到襯底的圖像傳感器管芯,在該襯底上使用透明材料片來將管芯暴露于光。然后,管芯中的像素通過透明材料接收光并生成信號,這些信號經處理以形成圖像。
發明內容
半導體封裝件的實施方式可以包括:半導體器件,該半導體器件包括在玻璃塊內的空腔內。該封裝件還可以包括襯底,該襯底與半導體器件的第一側和玻璃塊的兩個或更多個邊緣耦接。填充材料可以被包括在襯底和半導體器件之間,并且不透明材料可以位于半導體器件的側表面和空腔的內表面之間。不透明材料可以被配置為阻擋光接觸半導體器件的側表面。
半導體封裝件的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項:
半導體器件可以通過焊料耦接到襯底。
封裝件可以包括半導體器件內的通孔。
半導體器件可以是圖像傳感器。
封裝件可以在玻璃塊內的內部空腔和半導體的第二側之間包括兩個或更多個支架結構。
封裝件可以在空腔的內表面內包括多個金屬跡線。
焊球可以位于半導體器件的第二側和金屬跡線之間。
空腔可以具有立方體的形狀。
形成半導體封裝件的方法的實施方式可以包括:在玻璃塊內形成空腔;以及將兩個或更多個支架單元耦接到空腔的內表面。該方法還可以包括:將半導體器件接合到兩個或更多個支架;以及使用不透明填充材料將半導體器件密封在空腔內。不透明填充材料可以被配置為阻擋光接觸半導體器件的邊緣。該方法還可以包括將襯底以機械的方式和電的方式耦接到半導體器件并且耦接在空腔的開口上方。該方法還可以包括用底部填充材料底部填充襯底、半導體器件和玻璃塊的圍繞空腔的一側之間的間隙。
形成半導體封裝件的方法的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項:
該方法可以包括將球柵陣列耦接到襯底的第二側。
襯底可以通過焊料耦接到半導體器件。
半導體器件可以是圖像傳感器。
通孔可以被包括在半導體器件內。
該方法可以包括將襯底以機械的方式和電的方式耦接到半導體器件,該半導體器件還可以包括焊球。
形成半導體封裝件的方法的實施方式可以包括:在玻璃塊內形成空腔;以及將多個金屬跡線耦接到空腔的內表面。該方法可以包括:將半導體器件接合到空腔中;以及使用不透明填充材料將半導體器件密封在空腔內。該方法可以包括將襯底以機械的方式和電的方式耦接到半導體器件并且耦接在空腔的開口上方。該方法還可以包括使用底部填充材料底部填充襯底、半導體器件和玻璃塊的圍繞空腔的一側之間的間隙。不透明填充材料可以被配置為阻擋光接觸半導體器件的邊緣。
形成半導體封裝件的方法的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項:
該方法可以包括將球柵陣列耦接到襯底的第二側。
襯底可以通過焊料耦接到半導體器件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于半導體元件工業有限責任公司,未經半導體元件工業有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911040781.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種革蘭氏染色液的脫色液配方及配制方法
- 下一篇:自行車操作裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





