[發明專利]圖像傳感器倒裝芯片封裝件在審
| 申請號： | 201911040781.6 | 申請日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN111162098A | 公開（公告）日： | 2020-05-15 |
| 發明（設計）人： | 吳文進 | 申請（專利權）人： | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;H01L31/02;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 周陽君 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 倒裝 芯片 封裝 | ||
1.一種半導體封裝件，包括：
半導體器件，所述半導體器件包括在玻璃塊內的空腔內；
襯底，所述襯底與所述半導體器件的第一側和所述玻璃塊的兩個或更多個邊緣耦接；
填充材料，所述填充材料包括在所述襯底和所述半導體器件之間；和
不透明材料，所述不透明材料位于所述半導體器件的側表面和所述空腔的內表面之間；
其中所述不透明材料被配置為阻擋光接觸所述半導體器件的所述側表面。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括兩個或更多個支架結構，所述兩個或更多個支架結構位于所述玻璃塊內的內部空腔和所述半導體器件的第二側之間。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括多個金屬跡線，所述多個金屬跡線包括在所述玻璃塊內的所述空腔的所述內表面內。
4.根據權利要求2所述的半導體封裝件，還包括焊球，所述焊球位于所述半導體器件的所述第二側和所述金屬跡線之間。
5.一種形成半導體封裝件的方法，所述方法包括：
在玻璃塊內形成空腔；
將兩個或更多個支架單元耦接到所述空腔的內表面；
將半導體器件接合到所述兩個或更多個支架；
使用不透明填充材料將所述半導體器件密封在所述空腔內；
將襯底以機械的方式和電的方式耦接到所述半導體器件并且耦接在所述空腔的開口上方；
用底部填充材料底部填充所述襯底、所述半導體器件和所述玻璃塊的圍繞所述空腔的一側之間的間隙；
其中所述不透明填充材料被配置為阻擋光接觸所述半導體器件的邊緣。
6.根據權利要求5所述的方法，還包括將球柵陣列耦接到所述襯底的第二側。
7.根據權利要求5所述的方法，其中將襯底以機械的方式和電的方式耦接到所述半導體器件還包括使用焊球。
8.一種形成半導體封裝件的方法，所述方法包括：
在玻璃塊內形成空腔；
將多個金屬跡線耦接到所述空腔的內表面；
將半導體器件接合到所述空腔中；
使用不透明填充材料將所述半導體器件密封在所述空腔內；
將襯底以機械的方式和電的方式耦接到所述半導體器件并且耦接在所述空腔的開口上方；
使用底部填充材料底部填充所述襯底、所述半導體器件和所述玻璃塊的圍繞所述空腔的一側之間的間隙；
其中所述不透明填充材料被配置為阻擋光接觸所述半導體器件的邊緣。
9.根據權利要求8所述的方法，還包括將球柵陣列耦接到所述襯底的第二側。
10.根據權利要求8所述的方法，其中接合還包括將焊球接合在所述半導體器件的所述第二側和所述金屬跡線之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
