[發(fā)明專利]介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911039891.0
• 申請(qǐng)日: 2019-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110600841A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州海瓷達(dá)材料科技有限公司
• 主分類號(hào): H01P1/20
• 分類號(hào): H01P1/20
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明公開(kāi)一種介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)，包括介質(zhì)濾波器本體以及位于介質(zhì)濾波器本體上的第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔，所述第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔之間設(shè)有至少一個(gè)負(fù)耦合孔，所述負(fù)耦合孔的開(kāi)口方向與第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔的開(kāi)口方向相同；所述負(fù)耦合孔為階梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此階梯孔的上部通孔一端延伸至濾波器本體外側(cè)，另一端位于濾波器本體內(nèi)部，與下部盲孔連接，所述下部盲孔遠(yuǎn)離上部通孔的一端為封閉端，所述第一調(diào)試孔、第二調(diào)試孔和下部盲孔的內(nèi)壁均設(shè)有導(dǎo)電層。本發(fā)明可以在實(shí)現(xiàn)電容耦合的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)于遠(yuǎn)端寄生通帶頻率的控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)，屬于通信技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

隨著無(wú)線通信技術(shù)的日益發(fā)展，無(wú)線通信基站分布越來(lái)越密集，對(duì)基站的體積要求越來(lái)越小，其中射頻前端濾波器模塊在基站中的體積占比比較大，因此，對(duì)濾波器的體積需求也是越來(lái)越小。但是，在減小金屬同軸腔濾波器的體積時(shí)發(fā)現(xiàn)：濾波器的體積越小，表面電流越大，損耗越大，功率承受能力越低，即功率容量越小。也就是說(shuō)，隨著金屬同軸腔濾波器體積的減小，其性能指標(biāo)變差。目前，有一種小型化濾波器，即實(shí)心介質(zhì)濾波器，得到廣泛應(yīng)用，但在實(shí)心介質(zhì)濾波器中實(shí)現(xiàn)電容耦合（或稱負(fù)耦合）的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，工藝實(shí)現(xiàn)難度大，而且容易導(dǎo)致通帶較近頻率產(chǎn)生寄生通帶，因此，如何提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝難度低的介質(zhì)濾波器成為本領(lǐng)域技術(shù)人員的研究方向。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)，該介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)可以在實(shí)現(xiàn)電容耦合的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)于遠(yuǎn)端寄生通帶頻率的控制。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)，包括介質(zhì)濾波器本體以及位于介質(zhì)濾波器本體上的第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔，所述第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔之間設(shè)有至少一個(gè)負(fù)耦合孔，所述負(fù)耦合孔的開(kāi)口方向與第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔的開(kāi)口方向相同；所述負(fù)耦合孔為階梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此階梯孔的上部通孔一端延伸至濾波器本體外側(cè)，另一端位于濾波器本體內(nèi)部，與下部盲孔連接，所述下部盲孔遠(yuǎn)離上部通孔的一端為封閉端，所述第一調(diào)試孔、第二調(diào)試孔和下部盲孔的內(nèi)壁均設(shè)有導(dǎo)電層。

上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：

1. 上述方案中，所述負(fù)耦合孔的上部通孔的深度小于第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔的深度。

2. 上述方案中，所述負(fù)耦合孔的總深度分別大于第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔的深度。

3. 上述方案中，所述負(fù)耦合孔設(shè)有2個(gè)。

4. 上述方案中，所述負(fù)耦合孔的總深度為第一調(diào)試孔深度的1.1~1.3倍。

5. 上述方案中，所述第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔為盲孔。

6. 上述方案中，所述介質(zhì)濾波器本體的材質(zhì)為非金屬材料。

由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1、本發(fā)明介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)，其實(shí)現(xiàn)電容耦合的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)于遠(yuǎn)端寄生通帶頻率的控制，通過(guò)通孔直徑及下盲孔直徑大小以及兩者深度比例的調(diào)整，可用于實(shí)現(xiàn)較小的負(fù)耦合，一般可達(dá)50MHz以下，此時(shí)下盲孔與介質(zhì)底部還能留有較厚的厚度，便于實(shí)際生產(chǎn)加工，這對(duì)于窄帶濾波器尤為重要。

2、本發(fā)明介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)，其負(fù)耦合孔采用階梯孔，即通孔與盲孔的組合結(jié)構(gòu)，盲孔一端為封閉端，且負(fù)耦合孔的深度為第一調(diào)試孔深度的1.1~1.3倍，該結(jié)構(gòu)可避免負(fù)耦合孔過(guò)深產(chǎn)生的壓制成型困難的問(wèn)題。

3、本發(fā)明介質(zhì)濾波器的電容耦合結(jié)構(gòu)，其負(fù)耦合孔內(nèi)只有盲孔部分設(shè)置導(dǎo)電層，在通孔及通孔與盲孔的過(guò)渡臺(tái)階上均不設(shè)置導(dǎo)電層，該結(jié)構(gòu)通過(guò)調(diào)整負(fù)耦合孔上導(dǎo)電層面積及導(dǎo)電層位置來(lái)控制負(fù)耦合強(qiáng)弱，通孔深度越深，負(fù)耦合越強(qiáng)；盲孔越深負(fù)耦合越弱。

附圖說(shuō)明