[發明專利]介質濾波器的電容耦合結構在審
| 申請號： | 201911039891.0 | 申請日： | 2019-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN110600841A | 公開（公告）日： | 2019-12-20 |
| 發明（設計）人： | 徐華 | 申請（專利權）人： | 蘇州海瓷達材料科技有限公司 |
| 主分類號： | H01P1/20 | 分類號： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市吳江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調試孔 盲孔 介質濾波器 耦合孔 通孔 濾波器本體 開口方向 階梯孔 電容耦合結構 電容耦合 寄生通帶 導電層 封閉端 內壁 遠端 延伸 | ||
1.一種介質濾波器的電容耦合結構，其特征在于：包括介質濾波器本體（1）以及位于介質濾波器本體（1）上的第一調試孔（2）和第二調試孔（3），所述第一調試孔（2）和第二調試孔（3）之間設有至少一個負耦合孔（4），所述負耦合孔（4）的開口方向與第一調試孔（2）和第二調試孔（3）的開口方向相同；所述負耦合孔（4）為階梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此階梯孔的上部通孔一端延伸至濾波器本體（1）外側，另一端位于濾波器本體（1）內部，與下部盲孔連接，所述下部盲孔遠離上部通孔的一端為封閉端，所述第一調試孔（2）、第二調試孔（3）和下部盲孔的內壁均設有導電層。
2.根據權利要求1所述的介質濾波器的電容耦合結構，其特征在于：所述負耦合孔（4）的上部通孔的深度小于第一調試孔（2）和第二調試孔（3）的深度。
3.根據權利要求1所述的介質濾波器的電容耦合結構，其特征在于：所述負耦合孔（4）的總深度分別大于第一調試孔（2）和第二調試孔（3）的深度。
4.根據權利要求1所述的介質濾波器的電容耦合結構，其特征在于：所述負耦合孔（4）設有2個。
5.根據權利要求2所述的介質濾波器的電容耦合結構，其特征在于：所述負耦合孔（4）的總深度為第一調試孔（2）深度的1.1~1.3倍。
6.根據權利要求1所述的介質濾波器的電容耦合結構，其特征在于：所述第一調試孔（2）和第二調試孔（3）為盲孔。
7.根據權利要求1所述的介質濾波器的電容耦合結構，其特征在于：所述介質濾波器本體（1）的材質為非金屬材料。
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