[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911038952.1
• 申請(qǐng)日: 2019-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN111192899B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉智維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)州觀宇科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京威禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11838
• 代理人: 沈超

一發(fā)光裝置包括一電路層級(jí)，其包括一平坦化層；以及一發(fā)光像素，其位于所述平坦化層上，且包括一發(fā)光材料，其中所述發(fā)光材料包括一次層其具有一厚度。所述平坦化層包括一區(qū)域，其與所述發(fā)光像素的有效發(fā)光區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上垂直排列，而所述區(qū)域包括一局部平整度(local flatness，LF)，且所述局部平整度與所述厚度間的比例不大于一預(yù)定值。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種本申請(qǐng)案請(qǐng)求2018年11月14日申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng)案第16/190,873號(hào)的優(yōu)先權(quán)權(quán)利，所述美國(guó)專利申請(qǐng)案的全部揭露內(nèi)容并入本案供參考。

本揭示內(nèi)容是關(guān)于發(fā)光裝置，特別是一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光顯示器已廣泛運(yùn)用于大多數(shù)高端電子裝置。然而，由于現(xiàn)有技術(shù)的限制，需透過遮罩在基板上涂布發(fā)光材料來實(shí)現(xiàn)像素定義，但在很多情形中，遮罩的臨界尺寸無法小于100微米。因此，像素密度800ppi或更高規(guī)格已成為顯示器制造商的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一發(fā)光裝置，包括一電路層級(jí)，其包括一平坦化層；以及設(shè)于平坦化層上方的一發(fā)光像素，其包括一發(fā)光材料，其中所述發(fā)光材料包括有一厚度的一次層。平坦化層包括一區(qū)域，其與發(fā)光像素的有效發(fā)光區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上垂直排列，且所述區(qū)域包括一局部平整度(local flatness，LF)，所述局部平整度與厚度間的比例不大于一預(yù)定值。

在某些實(shí)施例中，平坦化層為有機(jī)層。在某些實(shí)施例中，平坦化層為無機(jī)層。在某些實(shí)施例中，發(fā)光像素包括一電極，其與電路層級(jí)電性連接。在某些實(shí)施例中，所述發(fā)光裝置還包括設(shè)于平坦化層與發(fā)光像素間的無機(jī)介電層。在某些實(shí)施例中，所述局部平整度是依ISO 4287所述的最大谷深或最大波峰高度所界定。在某些實(shí)施例中，電路層級(jí)包括薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)。在某些實(shí)施例中，發(fā)光裝置還包括一導(dǎo)電通路，其貫穿平坦化層。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)電通路與發(fā)光像素的一電極接觸，且導(dǎo)電通路的側(cè)壁有至少兩種不同斜度。

一發(fā)光裝置，包括一發(fā)光層，其包括一發(fā)光像素陣列；以及一電路層級(jí)，其設(shè)于發(fā)光像素陣列下方。電路層級(jí)包括一晶體管陣列，以及介于發(fā)光像素陣列與晶體管陣列間的一介電層。其中介電層包括一無機(jī)次層，其包括面向發(fā)光層的一表面，且所述表面包括一粗糙度值，其與發(fā)光像素陣列中的有機(jī)次層的厚度相對(duì)應(yīng)。

在某些實(shí)施例中，介電層為二氧化硅。在某些實(shí)施例中，發(fā)光像素陣列包括一電極，其與介電層接觸。在某些實(shí)施例中，粗糙度值隨有機(jī)次層的厚度而減低。在某些實(shí)施例中，有機(jī)次層是供載流子注入。在某些實(shí)施例中，有機(jī)次層是供載流子傳輸。在某些實(shí)施例中，有機(jī)次層是提供發(fā)光。

附圖說明

圖1至圖8繪示制備發(fā)光裝置的方法的數(shù)個(gè)操作。

圖9繪示發(fā)光裝置的中間產(chǎn)物中的通孔。

圖10至圖13繪示制備發(fā)光裝置的方法的數(shù)個(gè)操作。

圖14繪示發(fā)光裝置的中間產(chǎn)物。

圖15繪示發(fā)光裝置的中間產(chǎn)物。

圖16為一曲線圖，繪示發(fā)光裝置的平坦化層表面粗糙度狀況與發(fā)光率間的關(guān)聯(lián)。

圖17為發(fā)光裝置的透視圖。

圖18為圖17所示發(fā)光裝置的電極陣列。

具體實(shí)施方式

一發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)具有至少兩種主要的層級(jí)。一層級(jí)經(jīng)設(shè)置為發(fā)光層級(jí)，其包括發(fā)光像素陣列，并可對(duì)裝置提供照明。發(fā)光像素可利用有機(jī)或無機(jī)材料制成。另一層級(jí)為電路層級(jí)，其與發(fā)光層級(jí)電性耦接，并與發(fā)光層級(jí)垂直堆疊。電路層級(jí)供應(yīng)電源并控制信號(hào)至發(fā)光層級(jí)，以便依需求而顯示色彩或圖樣。