[發明專利]發光裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201911038952.1
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN111192899B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 劉智維
• 申請（專利權）人: 臺州觀宇科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京威禾知識產權代理有限公司 11838
• 代理人: 沈超

1.一種發光裝置，包括：

一電路層級包括一平坦化層，該平坦化層包括一黑材料；

一發光像素，設于該平坦化層上，且包括一發光材料，其中該發光材料包括具有一厚度的一次層；以及

一無機介電層，介于該發光像素與該平坦化層間，該無機介電層的厚度介于40 nm與130 nm間，

其中該平坦化層的上表面包括一區域，其與該發光像素的一有效發光區域實質上垂直排列，且該區域包括一局部平整度，以ISO 4287的最大谷深或最大波峰高度來定義該局部平整度，該區域的最大谷深的絕對值或最大峰高的絕對值不大于該次層的該厚度的50倍。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其中該平坦化層為一有機層。

3.如權利要求1所述的發光裝置，其中該平坦化層為一無機層。

4.如權利要求1所述的發光裝置，其中該發光像素包括一電極，其與該電路層級電性連接。

5.如權利要求1所述的發光裝置，還包括一基材，其中該電路層級設于該基材上，該基材包括石墨烯。

6.如權利要求1所述的發光裝置，其中該該區域的最大谷深的絕對值或最大峰高的絕對值小于該平坦化層的下表面的最大谷深的絕對值或最大峰高的絕對值的三分之一。

7.如權利要求1所述的發光裝置，其中該電路層級包括一薄膜晶體管。

8.如權利要求1所述的發光裝置，還包括一導電通路，其貫穿該平坦化層。

9.如權利要求1所述的發光裝置，其中導電通路與該發光像素的一電極相接觸，且該導電通路的一側壁包括至少兩種不同的斜度。

10.一種發光裝置，包括：

一發光層，包括一發光像素陣列；以及

一電路層級，設于該發光像素陣列下方，且該電路層級包括

一晶體管陣列；以及

一介電層，介于該發光像素陣列與該晶體管陣列間，其中該介電層包括一平坦化層及一無機次層設置于該平坦化層上，其中該平坦化層包括一表面朝向該發光層，且該表面有一平坦度，以ISO 4287的最大谷深或最大波峰高度來定義該平坦度，該平坦度與該發光像素陣列中一有機次層的厚度的比值為小于150，該平坦化層包括一黑材料，該無機次層的厚度介于40 nm與130 nm間。

11.如權利要求10所述的發光裝置，其中該無機次層是硅氧化物薄膜。

12.如權利要求10所述的發光裝置，其中該發光像素陣列包括一電極，其與該介電層相接觸。

13.如權利要求10所述的發光裝置，其中該表面有一粗糙度值，該粗糙度值隨該有機次層的厚度而降低。

14.如權利要求13所述的發光裝置，其中該有機次層是用于載流子注入。

15.如權利要求13所述的發光裝置，其中該有機次層是用于載流子傳輸。

16.如權利要求13所述的發光裝置，其中該有機次層是用于發光。