[發明專利]一種公轉式半導體蒸發臺的蒸發方法

有效

• 申請號: 201911038682.4
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN110643949B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 景蘇鵬;黃鵬飛;劉衛平
• 申請（專利權）人: 蘇州華楷微電子有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/50;C23C14/56;H01L21/67
• 代理公司: 蘇州金項專利代理事務所(普通合伙) 32456
• 代理人: 金星

本發明公開了一種公轉式半導體蒸發臺的蒸發方法，S1、設備的前期準備：S11、提供一種公轉式蒸發臺；S12、啟動抽真空裝置對蒸發腔內抽真空；S2、取料臂偏轉將一個載片蓋從旋轉環上取下；S3、取料臂偏擺90°使載片蓋移動到蒸發工位上；S4、蒸發工位上的載片蓋自轉；S5、電子束發生裝置啟動產生高能電子束，對坩堝內的金屬加熱使其蒸發；S6、載片蓋蒸發完成后，取料臂反向偏擺90°，將蒸發完的載片蓋放置在旋轉環上；S7、旋轉環旋轉將另一個載片蓋轉動到取蓋工位；S8、重復步驟S2至S6，直至旋轉環上的所有載片蓋均蒸發完成。該蒸發方法的能夠一批次完成多個載片蓋上的蒸發，提高了蒸發效率的同時保證了蒸發精度，減少了抽真空的時間。

技術領域

本發明涉及一種使用公轉式半導體蒸發臺的蒸發方法，屬于半導體技術領域。

背景技術

蒸發臺是一種常用的半導體設備，其主要結構包括下殼體和上蓋，下殼體和上蓋之間的內部空間形成了蒸發腔，該蒸發腔的底部設置有用于放置金屬的坩堝，所述蒸發腔的底部設置有電子束發生裝置和對蒸發腔進行抽真空的抽真空裝置，蒸發腔內設置有載片蓋，載片蓋上用來放置半導體圓片，而目前的蒸發臺的蒸發方法是：首先抽真空使蒸發腔保持一定的真空，金屬放置在坩堝內，然后電子束發生裝置產生高能電子束，并且在磁場的作用下電子束發生運動偏轉而直接撞擊上坩堝內的金屬，金屬溫度升高而形成金屬氣體，金屬氣體上升而在載片蓋上的圓片上形成金屬膜。根據載片蓋的放置形式，目前的蒸發方法包括行星式蒸發方式（Planetary）和公轉式蒸發方式，行星式的蒸發方式若干個載片蓋傾斜的擺放在蒸發腔的四周并且由旋轉環旋轉，行星式蒸發臺可以一次性蒸發多個載片蓋，每個載片蓋上又固定了多個圓片，因此，一次性可以蒸發更多的圓片，但是這種蒸發臺的蒸發精度不高，由于載片蓋在蒸發時是傾斜狀態，因此，載片蓋上的圓片與坩堝之間的距離是不相等，因此，蒸發得到的金屬膜是不太均勻。目前的公轉式蒸發方式在坩堝的正上方放置一個由旋轉電機帶動自轉的載片蓋，在蒸發時載片蓋處于坩堝的正上方，載片蓋上的圓片與坩堝之間的距離相等，金屬氣體上升就會附著在載片蓋的圓片上，這種蒸發方法精度相比行星式蒸發方法而言，精度更高，但是需要頻繁的開蓋更換圓片，然后頻繁抽真空，而抽真空的時間比蒸發時間要更長，因此，這種公轉式蒸發方法的效率非常低。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種公轉式半導體蒸發臺的蒸發方法，該蒸發方法的能夠一批次完成多個載片蓋上的蒸發，提高了蒸發效率的同時保證了蒸發精度，減少了抽真空的時間。

為解決上述技術問題，本發明的技術方案是：一種公轉式半導體蒸發臺的蒸發方法，

S1、設備的前期準備

S11、提供一種公轉式蒸發臺，該蒸發臺包括下殼體和上蓋，下殼體和上蓋之間的內部空間形成了蒸發腔，該蒸發腔的底部設置有坩堝，將蒸發用的金屬放置在坩堝內，所述蒸發腔的底部設置有電子束發生裝置和對蒸發腔進行抽真空的抽真空裝置，所述下殼體的內壁上旋轉安裝有旋轉環，該旋轉環由旋轉動力裝置驅動，所述旋轉環上圓周均布若干個載片蓋，每個載片蓋工作面朝向內側，載片蓋的工作面上固定有若干個圓片，所述載片蓋的外側通過自轉軸轉動安裝于固定座上，該固定座通過可松開或者鎖緊的自鎖結構安裝于旋轉環上，所述下殼體的內腔上轉動安裝有取料臂，該取料臂的擺動中心線與旋轉環的直徑共線且位于旋轉環的外側，所述取料臂的取料端位于旋轉環的四分之一圓處，該取料端和固定座之間設置有將所述自鎖結構切換使固定座與取料端固定的自鎖切換結構，下殼體上設置有驅動取料臂從取蓋工位偏擺至蒸發工位的偏擺驅動裝置，所述蒸發腔的底部設置有防護罩，載片蓋處于蒸發工位時位于防護罩的上端且位于坩堝的正上方，所述上蓋上設置有自轉動力裝置，該自轉動力裝置驅動蒸發工位的載片蓋自轉；

S12、啟動抽真空裝置對蒸發腔內抽真空，使蒸發腔內的真空度滿足蒸發要求；

S2、偏擺動力裝置驅動取料臂偏轉移動到取蓋工位將一個載片蓋從旋轉環上取下；

S3、偏擺動力裝置驅動取料臂偏擺90°使載片蓋移動到蒸發工位上，該載片蓋在蒸發工位上位于防護罩的上方和坩堝的正上方；