[發(fā)明專利]極紫外線微影方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911038537.6 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN111103766A | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蘇彥碩;葉人豪;葉展宏;鄭定亞;童宇軒;張俊霖;張漢龍;陳立銳;鄭博中 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 紫外線 方法 | ||
本揭露是關(guān)于一種極紫外線微影方法。一種用于監(jiān)控極紫外線光源中的沖擊波的方法包括在極紫外線微影工具的極紫外線光源設(shè)備中用離子化輻射照射液滴,以產(chǎn)生電漿及偵測由電漿產(chǎn)生的沖擊波?;谒鶄蓽y到的沖擊波來調(diào)節(jié)極紫外線光源的一或多個操作參數(shù)。
技術(shù)領(lǐng)域
本揭露是關(guān)于極紫外線微影(EUVL)方法。更特定而言,其是關(guān)于用于監(jiān)控從液滴產(chǎn)生器行進到激發(fā)區(qū)域的金屬液滴(例如,錫液滴)的方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體制造中用于微影的輻射波長已從紫外線減小到深紫外線(DUV),并且最近減小到極紫外線(EUV)。部件大小的進一步減小需要微影解析度的進一步改進,此改進可使用極紫外線微影(EUVL)實現(xiàn)。EUVL采用具有約1-100nm的波長的輻射。一種用于產(chǎn)生EUV輻射的方法是激光產(chǎn)生電漿(LPP)。在基于LPP的EUV源中,高功率激光光束聚焦到小的金屬(諸如錫)的液滴靶上以形成發(fā)射EUV輻射(在13.5nm處具有峰值最大發(fā)射)的高度離子化的電漿。
由LPP產(chǎn)生的EUV輻射的強度取決于高功率激光可以由液滴靶產(chǎn)生電漿的有效性。期望使高功率激光的脈沖與液滴靶的產(chǎn)生及移動精確同步以改進基于LPP的EUV輻射源的效率。激光產(chǎn)生電漿可在基于LPP的EUV源中產(chǎn)生沖擊波,并且由沖擊波攜帶的動量可轉(zhuǎn)移到下一液滴并且致使液滴位置偏差,使得下一激光脈沖可能無法有效地撞擊下一液滴或可能甚至錯過下一液滴。用于判斷何時產(chǎn)生沖擊波及沖擊波的范圍的監(jiān)控系統(tǒng)以及用于最小化沖擊波的影響的控制方法是期望的。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本揭露的一些實施例,一種極紫外線微影方法包括在EUV微影工具的極紫外線(EUV)光源設(shè)備中用離子化輻射照射液滴以產(chǎn)生EUV輻射及電漿。方法亦包括偵測由電漿產(chǎn)生的沖擊波,并且基于所偵測的沖擊波來調(diào)節(jié)EUV光源設(shè)備的一或多個操作參數(shù)。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合隨附附圖閱讀時,自以下詳細描述將很好地理解本揭露。應(yīng)注意,根據(jù)工業(yè)中的標準實務(wù),各個特征并非按比例繪制,并且僅出于說明目的而使用。事實上,出于論述清晰的目的,可任意增加或減小各個特征的尺寸。
圖1顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的具有激光產(chǎn)生電漿(LPP)EUV輻射源的EUV微影系統(tǒng)的示意圖;
圖2顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的EUV微影曝光工具的示意圖;
圖3顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的反射遮罩的橫截面圖;
圖4A及圖4B顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的在操作情況下的EUV輻射源的橫截面圖;
圖5A及圖5B顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的經(jīng)由在激光光束與金屬液滴之間的激光-金屬相互作用的電漿及沖擊波形成制程的示意圖;
圖6顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的EUV輻射源的收集器反射鏡及有關(guān)部分的示意圖;
圖7A顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的用于照明及成像EUV輻射源中的錫液滴及沖擊波的裝置;
圖7B顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的用于照明及成像EUV輻射源中的錫液滴的裝置;
圖8A顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的用于照明及成像EUV輻射源中的沖擊波的裝置;
圖8B是根據(jù)本揭露的一實施例的在圖8A的設(shè)備中使用的狹縫控制器機構(gòu)的詳細視圖;
圖9A顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的用于照明及成像EUV輻射源中的沖擊波的光學(xué)系統(tǒng);
圖9B顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的用于成像EUV輻射源中的沖擊波的光學(xué)系統(tǒng)的孔;
圖10顯示根據(jù)本揭露的一些實施例的用于量測沖擊波的強度及方向、量測液滴的速度及方向、及控制EUV輻射源的系統(tǒng);
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911038537.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷?;蝾愃朴∷⒛5闹谱?,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備





