[發(fā)明專利]COF封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911038471.0
• 申請(qǐng)日: 2019-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN110739238B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奚耀鑫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 頎中科技（蘇州）有限公司;西安奕斯偉材料科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/603
• 分類號(hào): H01L21/603
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 蘇婷婷

本發(fā)明揭示了一種COF封裝方法，所述方法包括：S1、提供一待封裝柔性線路基板，在所述柔性線路基板的線路面上形成若干個(gè)第一引腳；以及提供一待封裝芯片，并在封裝芯片上形成若干個(gè)第二引腳；S2、使得并保持柔性線路基板的線路面始終朝下放置，以及使得并保持封裝芯片設(shè)置有配合第一引腳的第二引腳的面始終朝上放置，并使得柔性線路基板和封裝芯片上互相配合的第一引腳和第二引腳相對(duì)設(shè)置；S3、對(duì)柔性線路基板施加一自上至下的壓力，和/或?qū)λ龇庋b芯片施加一自下至上的壓力，同時(shí)高溫加熱以使得第一引腳和第二引腳采用融合共晶的方式進(jìn)行焊接。本發(fā)明提升產(chǎn)品良率及穩(wěn)定度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種COF封裝方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路密集度的增加，芯片的封裝技術(shù)也越來越多樣化，由于覆晶封裝技術(shù)(FlipChipInterconnectTechnology，簡稱FC)具有縮小芯片封裝體積及縮短信號(hào)傳輸路徑等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域。

覆晶封裝技術(shù)是將裸晶(bardie)以表面朝下的方式與基板進(jìn)行接合。具體過程為，在芯片的表面形成凸塊(bump)，通過熱壓合等技術(shù)，使芯片上的多個(gè)凸塊與線路基板上的線路電性連接及機(jī)械性連接，之后即可通過線路基板的內(nèi)部線路實(shí)現(xiàn)芯片與外界電子裝置的電性連接。

在液晶顯示器電路封裝領(lǐng)域，目前采用的較多的是卷帶式薄膜覆晶封裝(Chiponfilm，簡稱COF)，這種覆晶封裝技術(shù)是采用柔性線路基板作為封裝芯片的載體，即采用柔性線路基板作為上述線路基板，之后通過熱壓合技術(shù)，將芯片上的凸塊與柔性線路基板的內(nèi)引腳接合。

現(xiàn)有技術(shù)中，芯片上的凸塊與柔性線路基板的內(nèi)引腳的結(jié)合過程中，柔性線路基板引腳向上，芯片的凸塊向下，芯片通過熱壓頭吸附移動(dòng)至柔性線路基板正上方后，熱壓頭對(duì)芯片加熱并施加壓力，以使芯片上的凸塊與柔性線路基板的內(nèi)引腳進(jìn)行焊接。

該種封裝方法進(jìn)行過程中，由于熱壓頭機(jī)構(gòu)有許多金屬傳運(yùn)機(jī)構(gòu)組成，如此，熱壓頭在運(yùn)動(dòng)過程中，其金屬機(jī)構(gòu)摩擦、線材摩擦?xí)a(chǎn)生許多金屬和非金屬的Particle(中文釋義，微小的顆粒)，這些Particle有很大機(jī)率會(huì)落到柔性線路基板引腳上和引腳之間，如此，凸塊與引腳焊接后會(huì)因?yàn)檫@些Particle造成引腳接觸不良或引腳間的短路；導(dǎo)致芯片的電性不良；進(jìn)一步的，因?yàn)橛行㏄article很細(xì)小，一般的電性測試有機(jī)率測試不出來，當(dāng)該產(chǎn)品結(jié)合到顯示屏后經(jīng)過一些繞折或環(huán)境溫濕度的影響，金屬的Particle最終造成引腳間的短路，非金屬的鹵素質(zhì)Particle最終造成金屬遷移而短路，或是引腳上的Particle導(dǎo)致接合強(qiáng)度不足而斷路，如此，造成極大的損失。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種解決上述技術(shù)問題的COF封裝方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明一實(shí)施方式提供一種COF封裝方法，所述方法包括：S1、提供一待封裝柔性線路基板，在所述柔性線路基板的線路面上形成若干個(gè)第一引腳；以及提供一待封裝芯片，并在封裝芯片上形成若干個(gè)第二引腳；

S2、使得并保持柔性線路基板的線路面始終朝下放置，以及使得并保持封裝芯片設(shè)置有配合第一引腳的第二引腳的面始終朝上放置，并使得柔性線路基板和封裝芯片上互相配合的第一引腳和第二引腳相對(duì)設(shè)置；

S3、對(duì)柔性線路基板施加一自上至下的壓力，和/或?qū)λ龇庋b芯片施加一自下至上的壓力，同時(shí)高溫加熱以使得第一引腳和第二引腳采用融合共晶的方式進(jìn)行焊接。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟S3具體包括：

保持柔性線路基板位置固定，對(duì)所述封裝芯片施加一自下至上的壓力，同時(shí)高溫加熱封裝芯片以使得第一引腳和第二引腳采用融合共晶的方式進(jìn)行焊接。