[發明專利]一種通過SOC測試DDR內存穩定性的方法有效
| 申請號: | 201911037762.8 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN111026589B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發明(設計)人: | 馮杰;張坤;曹林林 | 申請(專利權)人: | 晶晨半導體(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/22 | 分類號: | G06F11/22;G11C29/10 |
| 代理公司: | 深圳市智勝聯合知識產權代理有限公司 44368 | 代理人: | 李永華 |
| 地址: | 518054 廣東省深圳市前海深港合作區前*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 通過 soc 測試 ddr 內存 穩定性 方法 | ||
本發明提出一種通過SOC測試DDR內存穩定性的方法,SOC對DDR進行讀寫,以DQS作為時鐘,通過SOC調整DQS來找到DDR讀寫時DQS的Setup?time和hold?time,包括如下步驟:S1:通過SOC將DQS默認寄存器的值設置為B,逐個單位左移,當移動到A?1個單位出現DDR讀寫錯誤時,取A為左邊界;S2:通過SOC將DQS默認寄存器的值還原為B,逐個單位右移,當移動到C+1個單位出現DDR讀寫錯誤時,取C為右邊界;S3:計算出DQS讀寫的Setup?time和DQS讀寫的hold?time;本通過SOC測試DDR內存穩定性的方法能夠快速的測試出DDR內存的穩定性。
技術領域
本發明涉及DDR內存領域,尤其涉及一種通過SOC測試DDR內存穩定性的方法。
背景技術
在嵌入式系統中,隨著DDR內存的頻率越來越高,DDR內存對系統的要求也越來越高,DDR內存讀寫的時間也越來越小,很容易出現DDR讀寫的錯誤,造成系統死機,只有DDR內存的穩定性高才能防止DDR讀寫出現錯誤;現在主要是通過兩種方法來測試嵌入式系統中DDR內存的穩定性:1.通過老化煲機來測試DDR內存的穩定性,這種測試方法需要耗費大量的時間,并且無法判斷DDR內存余量是否足夠;2.把PCB板寄回DDR內存廠商進行各項參數測試,這種測試方法花費高、耗時長,并且也無法避免PCB板的板材不同造成的差異;如何快速、低成本測試嵌入式系統中DDR內存的穩定性成為了業績難題。
發明內容
為了解決上述問題,本發明提出一種通過SOC測試DDR內存穩定性的方法。
本發明通過以下技術方案實現的:
本發明提出一種通過SOC測試DDR內存穩定性的方法,SOC對DDR進行讀寫,以DQS作為時鐘,通過SOC調整DQS來找到DDR讀寫時DQS的Setup?time和hold?time,所述通過SOC測試DDR內存穩定性的方法包括如下步驟:
S1:通過SOC將DQS默認寄存器的值設置為B,逐個單位左移,當移動到A-1個單位出現DDR讀寫錯誤時,取A為左邊界;
S2:通過SOC將DQS默認寄存器的值還原為B,逐個單位右移,當移動到C+1個單位出現DDR讀寫錯誤時,取C為右邊界;
S3:通過公式[(B-A+1)*DDR對應頻率下的時長]計算出DQS讀寫的Setup?time;通過公式[(C-B+1)*DDR對應頻率下的時長]計算出DQS讀寫的hold?time。
進一步的,DQS讀寫的Setup?time與DQS讀寫的hold?time的總和越接近DDR時鐘的二分之一數值,說明DDR穩定性越高。
進一步的,DQS讀寫的Setup?time與DQS讀寫的hold?time差值越小,說明DDR穩定性越高。
進一步的,當DQS讀寫的Setup?time和DQS讀寫的hold?time均大于80ps時,說明DDR穩定性高。
本發明的有益效果:
1.本發明提出的通過SOC測試DDR內存穩定性的方法能夠快速的測試出DDR內存的穩定性。
2.本發明提出的通過SOC測試DDR內存穩定性的方法通過軟件即可進行測試,測試過程中系統負載較大,更加符合實際應用的要求。
附圖說明
圖1為本發明的通過SOC測試DDR內存穩定性的方法的步驟示意圖。
具體實施方式
為了更加清楚、完整的說明本發明的技術方案,下面結合附圖對本發明作進一步說明。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于晶晨半導體(深圳)有限公司,未經晶晨半導體(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911037762.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





