[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201911036937.3 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN110752236B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發明(設計)人: | 宮奎;段獻學;張志海;劉天真 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,涉及顯示裝置技術領域,所示顯示基板包括:在基底上疊設的驅動結構層和發光結構層,所述驅動結構層包括薄膜晶體管,所述發光結構層包括第一電極和用于屏蔽紫外光的屏蔽層,所述屏蔽層在所述基底上的正投影包含所述薄膜晶體管在基底上的正投影。本申請實施例的顯示基板可以解決在顯示基板制備過程中因采用UV掩膜版而導致生產成本增加的問題。
技術領域
本申請涉及顯示裝置技術領域,具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(OLED)近年來在顯示以及照明技術領域中逐漸發展起來,尤其是在顯示領域,由于其具有高響應、高對比度、可柔性化等優點,擁有廣泛的應用前景。但是由于OLED器件在水汽和氧氣的作用下,會出現腐蝕損壞的現象,因此選擇較好的封裝方式對OLED器件來說尤為重要。目前,對顯示基板進行薄膜封裝的方式通常為采用無機層和有機層堆疊的薄膜封裝結構對OLED器件進行覆蓋,以達到阻隔水氧的目的。其中依靠無機層進行水氧阻隔,依靠有機層進行應力釋放和平坦化等。有機層制作通常采用噴墨打印工藝,將液態單體類有機物打印在無機封裝層的表面,經過紫外(UV) 光照射成為固態鏈狀聚合物。
但是,在大尺寸OLED顯示基板的制作過程中,采用UV光照射會對顯示基板底部的薄膜晶體管(TFT)(尤其是TFT中氧化物半導體有源層)造成影響,使其電子遷移率漂移,性能降低,因此要對薄弱部位進行掩膜版遮擋,而UV掩膜版造價高昂,掩膜版的圖案一旦變化就要重新制作,大大增加了生產成本。
發明內容
本申請所要解決的技術問題是:解決在顯示基板制備過程中因采用UV 掩膜版而導致生產成本增加的問題。
為實現上述發明目的,本申請的一實施例提供一種顯示基板,包括:在基底上疊設的驅動結構層和發光結構層,所述驅動結構層包括薄膜晶體管,所述發光結構層包括第一電極和用于屏蔽紫外光的屏蔽層,所述屏蔽層在所述基底上的正投影包含所述薄膜晶體管在基底上的正投影。
可選地,所述第一電極和所述屏蔽層同層設置。
可選地,所述第一電極的材料包括離子摻雜的氧化鋅,所述屏蔽層的材料包括氧化鋅。
可選地,所述離子摻雜的氧化鋅中摻雜有鋁離子。
可選地,所述離子摻雜的氧化鋅中鋁離子的質量百分比為0.5%-2.5%。
可選地,所述屏蔽層的厚度為50-200nm。
本申請的另一實施例提供一種顯示裝置,包括任一所述的顯示基板。
本申請的又一實施例提供一種顯示基板的制備方法,包括:
在基底上形成驅動結構層,所述驅動結構層包括薄膜晶體管;
在所述驅動結構層上形成發光結構層,所述發光結構層包括第一電極和用于屏蔽紫外光的屏蔽層,所述屏蔽層在所述基底上的正投影包含所述薄膜晶體管在基底上的正投影。
可選地,所述在所述驅動結構層上形成發光結構層,包括:
在所述驅動結構層遠離所述基底的一側形成氧化鋅薄膜,所述氧化鋅薄膜通過所述驅動結構層上設置的漏極過孔與所述薄膜晶體管的漏電極連接;
對所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分進行離子摻雜,以使所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分形成所述第一電極,所述氧化鋅薄膜的其余部分形成所述屏蔽層。
可選地,所述對所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分進行離子摻雜,包括:對所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分進行鋁離子摻雜。
可選地,所述第一電極中摻雜的鋁所占的質量百分比為0.5%-2.5%。
可選地,所述對所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分進行鋁離子摻雜,包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





