[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201911036937.3
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN110752236B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 宮奎;段獻學;張志海;劉天真
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

1.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，包括：

在基底上形成驅動結構層，所述驅動結構層包括薄膜晶體管；

在所述驅動結構層上形成發光結構層，所述發光結構層包括第一電極和用于屏蔽紫外光的屏蔽層，所述屏蔽層在所述基底上的正投影包含所述薄膜晶體管在基底上的正投影；

所述在所述驅動結構層上形成發光結構層，包括：

在所述驅動結構層遠離所述基底的一側形成氧化鋅薄膜，所述氧化鋅薄膜通過所述驅動結構層上設置的漏極過孔與所述薄膜晶體管的漏電極連接；

對所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分進行離子摻雜，以使所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分形成所述第一電極，所述氧化鋅薄膜的其余部分形成所述屏蔽層。

2.如權利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述對所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分進行離子摻雜，包括：對所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分進行鋁離子摻雜。

3.如權利要求2所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述第一電極中摻雜的鋁所占的質量百分比為0.5％-2.5％。

4.如權利要求2所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述對所述氧化鋅薄膜的對應于發光區域的部分進行鋁離子摻雜，包括：

采用金屬蒸發真空弧離子注入裝置，在鋁離子注入前先將所述金屬蒸發真空弧離子注入裝置的靶室抽真空到10^-4Pa以下，鋁離子注入參數為：脈沖頻率20Hz～50Hz，加速電壓40keV～80keV，注入劑量為2×10¹⁶ion/cm²～8×10¹⁶ion/cm²。

5.如權利要求1-4任一項所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述屏蔽層的厚度為50-200nm。

6.一種顯示基板，其特征在于，采用權利要求1所述的顯示基板的制備方法制備而成，包括：在基底上疊設的驅動結構層和發光結構層，所述驅動結構層包括薄膜晶體管，所述發光結構層包括第一電極和用于屏蔽紫外光的屏蔽層，所述屏蔽層在所述基底上的正投影包含所述薄膜晶體管在基底上的正投影。

7.如權利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電極和所述屏蔽層同層設置。

8.如權利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電極的材料包括離子摻雜的氧化鋅，所述屏蔽層的材料包括氧化鋅。

9.如權利要求8所述的顯示基板，其特征在于，所述離子摻雜的氧化鋅中摻雜有鋁離子。

10.如權利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述離子摻雜的氧化鋅中鋁離子的質量百分比為0.5％-2.5％。

11.如權利要求6-10任一項所述的顯示基板，其特征在于，所述屏蔽層的厚度為50-200nm。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求6-11任一項所述的顯示基板。