[發明專利]一種封裝結構、封裝結構制程方法及顯示面板在審
| 申請號: | 201911036248.2 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN110854152A | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發明(設計)人: | 江沛;樊勇;柳銘崗 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 黃靈飛 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 封裝 結構 方法 顯示 面板 | ||
1.一種封裝結構,其特征在于,包括:
陣列基板,所述陣列基板包括相對設置的第一面和第二面;
微型發光二極管,所述微型發光二極管設置在所述第一面且所述微型發光二極管對應有效顯示區;
貼合膠材,所述貼合膠材設置在所述第一面和所述微型發光二極管上;
封裝膠材,所述封裝膠材覆蓋所述第一面、所述微型發光二極管以及所述貼合膠材。
2.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述貼合膠材為紫外光敏膠材、聚合物膠材、有機膠材、樹脂類膠材、有機硅類膠材其中任一種。
3.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述貼合膠材從陣列基板的邊緣延伸至所述微型發光二極管邊緣,且所述貼合膠材至少部分覆蓋在所述微型發光二極管遠離所述陣列基板的一面。
4.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述貼合膠材從陣列基板的邊緣延伸至所述微型發光二極管邊緣,且所述貼合膠材完全覆蓋所述微型發光二極管遠離所述陣列基板的一面。
5.一種封裝結構的制程方法,包括:
提供一陣列基板,所述陣列基板包括相對設置的第一面和第二面;
在所述第一面設置微型發光二極管,且所述微型發光二極管對應有效顯示區;
在所述第一面和所述微型發光二極管上設置貼合膠材;
在所述第一面、所述微型發光二極管以及所述貼合膠材上覆蓋封裝膠材;
將所述微型發光二極管對應的有效顯示區邊緣的所述封裝膠材切割;
將所述第一面的微型發光二極管邊緣與陣列基板邊緣之間的所述貼合膠材以及所述封裝膠材去除。
6.根據權利要求5所述的制程方法,其特征在于,將所述微型發光二極管對應的有效顯示區邊緣的所述封裝膠材切割,包括:
以垂直所述第一面的方向沿微型發光二極管所對應有效顯示區邊緣切割所述封裝膠材。
7.根據權利要求5所述的制程方法,其特征在于,將所述第一面的微型發光二極管邊緣與陣列基板邊緣之間的所述貼合膠材以及所述封裝膠材去除,包括:
提供一光罩,遮擋所述微型發光二極管對應的所述有效顯示區;
提供紫外光,照射在所述第一面微型發光二極管邊緣至陣列基板邊緣以降低貼合膠材的黏度;
剝離所述第一面微型發光二極管邊緣至陣列基板邊緣的所述貼合膠材以及所述封裝膠材。
8.根據權利要求5所述的制程方法,其特征在于,在所述第一面和所述微型發光二極管上設置貼合膠材,包括:
在所述第一面和所述微型發光二極管上設置多層貼合膠材。
9.根據權利要求8所述的制程方法,其特征在于,將所述第一面的微型發光二極管邊緣與陣列基板邊緣之間的所述貼合膠材以及所述封裝膠材去除,包括:
將所述第一面微型發光二極管邊緣與陣列基板邊緣之間的貼合膠材至少剝離一層,且將所述第一面微型發光二極管邊緣與陣列基板邊緣之間的封裝膠材剝離。
10.一種顯示面板,包括一種封裝結構,所述封裝結構為權利要求1至4任一項所述的封裝結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911036248.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種變角度高速發射裝置
- 下一篇:一種高分散納米二氧化硅的表面改性方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





