[發明專利]半導體工藝方法

有效

• 申請號: 201911036246.3
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN112750715B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 劉曦光
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 汪潔麗

本發明涉及一種半導體工藝方法；包括如下步驟：調節工藝腔室內的腔室壓力，使得工藝結束時腔室壓力調節至預設壓力，預設壓力等于傳片壓力或低于傳片壓力且大于對工藝腔室實現最佳清洗效果時的最低腔室壓力；于傳片壓力下將完成工藝處理后的晶圓從工藝腔室內傳出。上述半導體工藝方法通過調節工藝腔室內的腔室壓力以使得工藝結束時腔室壓力調節等于或略低于傳片壓力，可以顯著降低工藝時間及傳片自動控壓時間，從而有效提高設備產能，降低產品成本。

技術領域

本發明涉及半導體器件制造技術領域，特別是涉及一種半導體工藝方法。

背景技術

在現有很多半導體工藝(譬如，成膜工藝等)中在工藝結束后均需要使得工藝腔室內的腔室壓力要明顯低于傳送晶圓所需的傳片壓力，以確保對工藝腔室達到最佳的清洗效果，且防止在將工藝處理后的晶圓從工藝腔室內傳出時工藝腔室內的微粒反灌到設備中其他清潔的區域。然而，上述工藝方法中由于需要將工藝腔室內的腔室壓力調節至較低的數值，需要較長的調節時間，從而導致工藝時間較長，進而影響設備的產能，導致產品成本的增加；同時，由于傳片時需要工藝腔室內的腔室壓力要達到傳片壓力，工藝結束時工藝腔室內的腔室壓力于傳片壓力相差較大會導致傳片自動控壓時間較長，從而影響設備的產能，導致產品成本的增加。

又半導體行業由于需要投資大量的昂貴設備，加上產品更新快帶來設備更新換代的要求，給企業帶來巨大的資金壓力和成本負擔。因此，如何提高設備綜合利用率，提升設備產能，降低產品成本成為在激烈的市場競爭中促進企業發展的必要選擇。

發明內容

基于此，有必要針對現有技術中工藝結束時需要將工藝腔室內的腔室壓力調節至明顯低于傳片壓力而導致的工藝時間較長、傳片自動控壓時間較長、設備產能較低及產品成本較高等問題，提供一種半導體工藝方法。

為了實現上述目的，一方面，本發明提供了一種半導體工藝方法，包括如下步驟：

調節工藝腔室內的腔室壓力，使得工藝結束時腔室壓力調節至預設壓力，預設壓力等于傳片壓力或低于傳片壓力且大于對工藝腔室實現最佳清洗效果時的最低腔室壓力；

于傳片壓力下將完成工藝處理后的晶圓從工藝腔室內傳出。

上述半導體工藝方法通過調節工藝腔室內的腔室壓力以使得工藝結束時腔室壓力調節等于或略低于傳片壓力，可以顯著降低工藝時間及傳片自動控壓時間，從而有效提高設備產能，降低產品成本。

在其中一個實施例中，預設壓力為所述傳片壓力的95％～100％。

在其中一個實施例中，預設壓力低于傳片壓力時，將工藝處理后的晶圓從工藝腔室內傳出之前還包括將工藝腔室內的腔室壓力調節至傳片壓力的步驟。

在其中一個實施例中，工藝腔室包括反應腔室、冷卻腔室或傳送腔室。

在其中一個實施例中，工藝包括成膜工藝及成膜工藝后的清洗工藝，于清洗工藝過程中調節工藝腔室內的腔室壓力，以使得清洗工藝結束時腔室壓力調節至預設壓力。

在其中一個實施例中，調節工藝腔室內的腔室壓力，使得工藝結束時腔室壓力調節至預設壓力之前還包括如下步驟：

于傳片壓力下將待處理的晶圓傳送至工藝腔室內；

將工藝腔室內的腔室壓力調節至成膜工藝所需的成膜壓力，于成膜壓力下執行成膜工藝；

成膜工藝結束后使用清洗氣體對工藝腔室進行清洗。

在其中一個實施例中，于傳片壓力下將完成工藝處理后的晶圓從工藝腔室內傳出之后還包括如下步驟：重復上述步驟至少一次。

在其中一個實施例中，通過調節工藝腔室內的清洗氣體流量、對工藝腔室內進行抽氣的氣泵的抽氣速率及抽氣時間中的至少一者，以使得工藝結束時腔室壓力調節至預設壓力。