[發明專利]半導體工藝方法

有效

• 申請號: 201911036246.3
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN112750715B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 劉曦光
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 汪潔麗

1.一種半導體工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：

調節工藝腔室內的腔室壓力，使得工藝結束時所述腔室壓力調節至預設壓力，所述預設壓力低于傳片壓力且大于對所述工藝腔室實現最佳清洗效果時的最低腔室壓力；所述預設壓力為所述傳片壓力的95%~100%；

于傳片壓力下將完成工藝處理后的晶圓從所述工藝腔室內傳出。

2.根據權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述預設壓力低于所述傳片壓力時，將工藝處理后的所述晶圓從所述工藝腔室內傳出之前還包括將所述工藝腔室內的腔室壓力調節至所述傳片壓力的步驟。

3.根據權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述工藝腔室包括反應腔室、冷卻腔室或傳送腔室。

4.根據權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述工藝包括成膜工藝及成膜工藝后的清洗工藝，于所述清洗工藝過程中調節所述工藝腔室內的所述腔室壓力，以使得清洗工藝結束時所述腔室壓力調節至所述預設壓力。

5.根據權利要求4所述的半導體工藝方法，其特征在于，調節所述工藝腔室內的所述腔室壓力，使得工藝結束時所述腔室壓力調節至所述預設壓力之前還包括如下步驟：

于傳片壓力下將待處理的晶圓傳送至所述工藝腔室內；

將所述工藝腔室內的腔室壓力調節至成膜工藝所需的成膜壓力，于所述成膜壓力下執行成膜工藝；

成膜工藝結束后使用清洗氣體對所述工藝腔室進行清洗。

6.根據權利要求5所述的半導體工藝方法，其特征在于，于傳片壓力下將完成工藝處理后的所述晶圓從所述工藝腔室內傳出之后還包括如下步驟：重復上述步驟至少一次。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體工藝方法，其特征在于，通過調節所述工藝腔室內的清洗氣體流量、所述工藝腔室內進行抽氣的氣泵的抽氣速率及抽氣時間中的至少一者，以使得工藝結束時所述腔室壓力調節至所述預設壓力。

8.根據權利要求7所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述工藝腔室內的清洗氣體流量包括0sccm~5000sccm；所述抽氣速率包括0L/s~5000L/s；所述抽氣時間包括0s~60s。