[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 201911035283.2
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN111933637A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 李潤泰;金亨俊;金漢
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張紅;馬金霞

本發明提供一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括第一半導體封裝件和第二半導體封裝件，所述第一半導體封裝件包括：第一框架，具有第一貫穿部；第一半導體芯片，位于所述第一貫穿部中并具有其上設置有第一連接焊盤的第一表面、其上設置有第二連接焊盤的第二表面以及連接到所述第二連接焊盤的貫穿過孔；第一連接結構，位于所述第一表面上并包括第一重新分布層；以及背側重新分布層，位于所述第二表面上，所述第二半導體封裝件位于所述第一半導體封裝件上并且包括：第二連接結構，包括第二重新分布層；第二框架，位于所述第二連接結構上并具有第二貫穿部；以及第二半導體芯片，位于所述第二貫穿部中并且具有其上設置有第三連接焊盤的第三表面。

本申請要求于2019年5月13日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0055468號韓國專利申請的優先權的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種半導體封裝件，例如，涉及一種扇出型半導體封裝件。

背景技術

隨著近年來智能電子裝置的發展，在智能電子裝置中使用的組件的規格也已經提高。例如，應用處理器(AP)(智能電子裝置的關鍵組件)的規格已經迅速提高。各種方法已經用于提高AP的性能，并且AP的功能分區是一種新近的方法。例如，當針對每個功能對AP的半導體芯片分區，然后設計并封裝每個半導體芯片以針對其工藝和特征進行優化時，AP可以實現比傳統的單個AP更高級的性能。然而，在這種情況下，需要高水平的封裝方法。因此，需要一種可封裝多個分區的半導體芯片以具有最佳的信號特性和電力特性的半導體封裝結構。

發明內容

本公開的一方面可提供一種新型的半導體封裝件，所述半導體封裝件具有多個半導體芯片可被封裝以具有最佳的信號特性和電力特性的結構。

根據本公開的一方面，可提供一種具有以下結構的半導體封裝件：可在多個半導體芯片基于它們的規格而被劃分為上封裝件和下封裝件之后設置多個半導體芯片，然后下封裝件的半導體芯片通過貫穿下封裝件的半導體芯片的貫穿過孔將電力傳輸到上封裝件的半導體芯片。

根據本公開的一方面，一種半導體封裝件可包括第一半導體封裝件和第二半導體封裝件，所述第一半導體封裝件包括：第一框架，具有第一貫穿部；第一半導體芯片，設置在所述第一框架的所述第一貫穿部中并具有第一表面、第二表面和貫穿過孔，在所述第一表面上設置有第一連接焊盤，所述第二表面與所述第一表面相對并且在所述第二表面上設置有第二連接焊盤，并且所述貫穿過孔連接到所述第二連接焊盤；第一連接結構，設置在所述第一半導體芯片的所述第一表面上，并包括電連接到所述第一半導體芯片的所述第一連接焊盤的第一重新分布層；以及背側重新分布層，設置在所述第一半導體芯片的所述第二表面上，并且電連接到所述第一半導體芯片的所述第二連接焊盤，所述第二半導體封裝件設置在所述第一半導體封裝件上并且包括：第二連接結構，包括電連接到所述第一重新分布層的第二重新分布層；第二框架，設置在所述第二連接結構上并具有第二貫穿部；以及第二半導體芯片，設置在所述第二框架的所述第二貫穿部中并且具有第三表面，在所述第三表面上設置有第三連接焊盤，所述第三連接焊盤電連接到所述第二重新分布層。