[發明專利]半導體封裝件在審
| 申請號: | 201911035283.2 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN111933637A | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發明(設計)人: | 李潤泰;金亨俊;金漢 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 張紅;馬金霞 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 | ||
1.一種半導體封裝件,包括第一半導體封裝件和第二半導體封裝件,
所述第一半導體封裝件包括:
第一框架,具有第一貫穿部;
第一半導體芯片,設置在所述第一框架的所述第一貫穿部中并具有第一表面、第二表面和第一貫穿過孔,在所述第一表面上設置有第一連接焊盤,所述第二表面與所述第一表面相對并且在所述第二表面上設置有第二連接焊盤,并且所述第一貫穿過孔連接到所述第二連接焊盤;
第一連接結構,設置在所述第一半導體芯片的所述第一表面上,并包括電連接到所述第一半導體芯片的所述第一連接焊盤的第一重新分布層;以及
背側重新分布層,設置在所述第一半導體芯片的所述第二表面上,并且電連接到所述第一半導體芯片的所述第二連接焊盤,
所述第二半導體封裝件設置在所述第一半導體封裝件上并且包括:
第二連接結構,包括電連接到所述第一重新分布層的第二重新分布層;
第二框架,設置在所述第二連接結構上并具有第二貫穿部;以及
第二半導體芯片,設置在所述第二框架的所述第二貫穿部中并且具有第三表面,在所述第三表面上設置有第三連接焊盤,所述第三連接焊盤電連接到所述第二重新分布層。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,在所述第一半導體芯片中,所述第一連接焊盤連接到所述第一重新分布層的信號圖案,并且
所述第二連接焊盤連接到所述背側重新分布層的電力圖案和接地圖案中的至少一者。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝件,其中,所述第一框架包括將所述第一重新分布層和所述背側重新分布層彼此電連接的布線結構。
4.根據權利要求3所述的半導體封裝件,其中,所述第一重新分布層的所述信號圖案通過所述布線結構電連接到所述背側重新分布層。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝件,所述半導體封裝件還包括多個連接端子,所述多個連接端子將所述第一重新分布層和所述第二重新分布層彼此連接。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,所述第一連接焊盤和所述第三連接焊盤彼此面對。
7.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,所述第一連接結構還包括連接到所述第一重新分布層的第一連接過孔,并且
所述第一貫穿過孔通過所述第一連接過孔在所述第一貫穿過孔的一端電連接到所述第一重新分布層,所述第一貫穿過孔的所述一端與所述第一貫穿過孔的將所述第一貫穿過孔連接到所述第二連接焊盤的另一端相對。
8.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,所述第一半導體芯片的所述第一貫穿過孔通過貫穿所述第一半導體芯片從所述第二連接焊盤延伸到所述第一表面或與所述第一表面相鄰的區域。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片各自實現應用處理器的部分功能或全部功能。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,所述第一半導體芯片包括具有第一關鍵尺寸的第一半導體元件,并且
所述第二半導體芯片包括具有小于所述第一關鍵尺寸的第二關鍵尺寸的第二半導體元件。
11.根據權利要求1所述的半導體封裝件,所述半導體封裝件還包括與所述第二半導體封裝件一起設置在所述第一連接結構上的無源組件。
12.根據權利要求1所述的半導體封裝件,所述半導體封裝件還包括設置在所述第一貫穿過孔下方并且位于所述背側重新分布層的下表面上的無源組件。
13.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,所述第一框架具有多個所述第一貫穿部,并且
多個所述第一半導體芯片分別設置在多個所述第一貫穿部中。
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