[發(fā)明專利]FPGA互連線電路及FPGA互連線延時降低方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911033728.3 | 申請日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN112731823A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王俊;溫長清;張勇 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市國微電子有限公司 |
| 主分類號: | G05B19/042 | 分類號: | G05B19/042 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281 | 代理人: | 江婷;李發(fā)兵 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | fpga 互連 電路 延時 降低 方法 | ||
本發(fā)明提供的FPGA互連線電路及FPGA互連線延時降低方法,F(xiàn)PGA互連線電路包括開關(guān)模塊、正反饋電路以及輸出緩沖器,正反饋電路的輸入端與開關(guān)模塊的輸出端連接,正反饋電路的輸出端與輸出緩沖器的輸入端連接;通過正反饋電路輸入端接收到由開關(guān)模塊輸出的信號,將信號進(jìn)行上拉或者下拉后輸出到輸出緩沖器;可見本發(fā)明可以實現(xiàn)加快信號輸出的翻轉(zhuǎn)速度,進(jìn)而達(dá)到減少互聯(lián)線延時的目的,減少了可編程互聯(lián)模塊占用的延時,在一定程度上優(yōu)化了可編程互聯(lián)模塊的性能,提高了全芯片的速度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及FPGA(Field-Programmable Gate Array,即現(xiàn)場可編程門陣列)設(shè)計領(lǐng)域,具體涉及一種FPGA互連線電路及FPGA互連線延時降低方法。
背景技術(shù)
FPGA是在PAL(Programmable Array Logic,可編程陣列邏輯)、GAL(GenericArray Logic,通用陣列邏輯)、CPLD(Complex Programmable Logic Device,復(fù)雜可編程邏輯器件)等可編程器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展的產(chǎn)物。它是作為專用集成電路(ApplicationSpecific Integrated Circuit,ASIC)領(lǐng)域中的一種半定制電路而出現(xiàn)的,既解決了定制電路的不足,又克服了原有可編程器件門電路數(shù)有限的缺點。
參見圖1,基本的FPGA由如下幾個部分組成:可編程輸入輸出IO模塊101、可編程邏輯模塊103、可編程互聯(lián)模塊102,其中,可編程輸入輸出IO模塊101的作用是連接外部信號與FPGA,實現(xiàn)FPGA與外部進(jìn)行通信,根據(jù)需要,可以實現(xiàn)各種電平標(biāo)準(zhǔn);可編程邏輯模塊103是FPGA實現(xiàn)各種邏輯的基礎(chǔ),通常使用LUT與觸發(fā)器資源實現(xiàn)各種組合邏輯與時序邏輯;可編程互聯(lián)模塊102,其作用是用來連接FPGA中各個資源。
由此可知,可編程互聯(lián)模塊起到橋接作用,負(fù)責(zé)各個邏輯模塊間的相互通信以及輸入輸出信號在互聯(lián)模塊間的傳輸,因此,可編程互聯(lián)模塊是FPGA器件中至關(guān)重要的一部分資源。但是,隨著工藝尺寸的進(jìn)一步縮小,互聯(lián)線的延時所占比例越來越高,而FPGA器件主要的各個信號都是通過互聯(lián)線來進(jìn)行傳輸?shù)模曰ヂ?lián)線的延時對FPGA的速度影響正在進(jìn)一步的加大,嚴(yán)重影響FPGA器件的性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的主要技術(shù)問題是,提供一種FPGA互連線電路及FPGA互連線延時降低方法,解決現(xiàn)有互聯(lián)線電路延時過大的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種FPGA互連線電路,包括:
開關(guān)模塊、正反饋電路以及輸出緩沖器;
所述正反饋電路的輸入端與所述開關(guān)模塊的輸出端連接,所述正反饋電路的輸出端與所述輸出緩沖器的輸入端連接。
可選的,所述正反饋電路包括上拉正反饋電路和下拉正反饋電路。
可選的,所述上拉正反饋電路包括第一PMOS管和第一NMOS管,所述下拉正反饋電路包括第二PMOS管和第二NMOS管;
所述第一PMOS管的源極連接VDD端,所述第一PMOS管的漏極與所述開關(guān)NMOS管的輸出端連接,所述第一PMOS管的柵極與所述第一NMOS管的源極連接,所述第一NMOS管的柵極與所述開關(guān)NMOS管的輸出端連接,所述第一NMOS管的漏極與接地端GND連接;
所述第二PMOS管的源極連接VDD端,所述第二PMOS管的柵極與所述開關(guān)NMOS管的輸出端連接,所述第二PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的柵極連接,所述第二NMOS管的源極所述開關(guān)NMOS管的輸出端連接,所述第二NMOS管的漏極與接地端GND連接。
可選的,所述互連線電路還包括控制電路,所述控制電路與所述開關(guān)模塊連接,并控制所述開關(guān)模塊的打開或者關(guān)閉。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市國微電子有限公司,未經(jīng)深圳市國微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911033728.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





