[發明專利]極紫外光源

有效

• 申請號: 201911033324.4
• 申請日: 2015-06-25
• 公開（公告）號: CN110784981B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 陶業爭;J·T·斯特瓦特四世;J·朱爾;D·布朗;J·M·亞查恩德;A·A·沙夫甘斯;M·A·普爾維斯;A·拉弗格
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H05G2/00
• 分類號: H05G2/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李興斌

本公開的實施例涉及極紫外光源。生成初始輻射脈沖；提取初始輻射脈沖的一段以形成修改輻射脈沖，修改輻射脈沖包括第一部分和第二部分，第一部分在時間上連接到第二部分，并且第一部分的最大能量小于第二部分的最大能量；修改輻射脈沖的第一部分與靶材相互作用以形成修改靶；并且修改輻射脈沖的第二部分與修改靶相互作用以生成發射極紫外(EUV)光的等離子體。

本申請是申請日為2015年06月25日、申請號為201580036836.X、發明名稱為“極紫外光源”的中國發明專利申請的分案申請。

技術領域

所公開的主題涉及一種極紫外光源。

背景技術

極紫外(“EUV”)光，例如波長約為50nm或更小(有時也稱為軟X射線)并且包括波長約為13nm和更小，例如約6.5nm的光的電磁輻射，可在光刻工藝中用于在例如硅晶片的襯底中產生極小的特征。

產生EUV光的方法包括但不必限于，在等離子體狀態下用EUV范圍內的發射線來轉換具有元素例如氙、鋰或錫的材料。在通常稱為激光產生等離子體(“LPP”)的這樣一種方法中，所需的等離子體可以通過用放大光束照射形式例如為液滴、板、帶、流或材料簇的靶材而產生，該放大光束可以被稱為驅動激光。對于該過程，等離子體通常在例如真空腔室的密封容器中產生，并使用各種類型的量測設備進行監測。

發明內容

在一個一般的方面中，一種方法包括：生成初始輻射脈沖；提取初始輻射脈沖的一段以形成修改輻射脈沖，修改輻射脈沖包括第一部分和第二部分，第一部分在時間上連接到第二部分，并且第一部分的最大能量小于第二部分的最大能量；使修改輻射脈沖的第一部分與靶材相互作用以形成修改靶；以及使修改輻射脈沖的第二部分與修改靶相互作用以生成發射極紫外(EUV)光的等離子體。

實施可以包括以下特征中的一個或多個。修改輻射脈沖可以穿過增益介質以形成放大的修改輻射脈沖，增益介質將修改輻射脈沖的第一部分放大比修改輻射脈沖的第二部分更大的量。增益介質可以具有小信號增益和飽和增益，并且修改輻射脈沖的第一部分可以通過小信號增益被放大，并且修改輻射脈沖的第二部分可以通過飽和增益被放大。

提取初始輻射脈沖的一段以形成修改輻射脈沖可以包括使初始輻射脈沖穿過門控模塊。門控模塊可以包括電光門控模塊。電光門控模塊可以包括電光調制器，其包括一個或多個偏振器。

初始輻射脈沖可以包括光脈沖。初始輻射脈沖可以是脈沖二氧化碳(CO₂)激光。修改輻射脈沖的第一部分的能量可以隨時間連續地增加。修改輻射脈沖的第一部分可以具有50納秒(ns)或更短的持續時間。初始輻射脈沖和修改輻射脈沖可以均與將能量表征為時間函數的時間分布相關聯，并且初始輻射脈沖和修改輻射脈沖的時間分布可以不同。

在使修改輻射脈沖的第一部分與靶材相互作用之前，靶可以與第一輻射脈沖相互作用以形成靶材。第一輻射脈沖可以具有1微米(μm)的波長。

在另一個一般方面，一種生成極紫外(EUV)光的方法包括：將靶提供到靶位置，靶在到達靶位置之前在空間上擴展；將輻射脈沖朝向靶位置引導，輻射脈沖包括第一部分和在第一部分之后到達靶位置的第二部分；使輻射脈沖的第一部分與靶相互作用以形成具有與靶不同的吸收的修改靶；以及使輻射脈沖的第二部分與修改靶相互作用以生成發射EUV光的等離子體。

實施可以包括以下特征中的一個或多個。具有與靶不同的吸收的修改靶可以包括比靶吸收更大量的輻射的修改靶。靶包括預擴展靶，靶的空間范圍在被提供給靶位置之前在一個維度上被擴展并且在第二維度上被減小。