[發明專利]極紫外光源

有效

• 申請號: 201911033324.4
• 申請日: 2015-06-25
• 公開（公告）號: CN110784981B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 陶業爭;J·T·斯特瓦特四世;J·朱爾;D·布朗;J·M·亞查恩德;A·A·沙夫甘斯;M·A·普爾維斯;A·拉弗格
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H05G2/00
• 分類號: H05G2/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李興斌

1.一種生成極紫外(EUV)光的方法，所述方法包括：

將靶提供到靶位置，所述靶包括在等離子狀態時發射EUV光的靶材，所述靶在第一方向上具有200納米(nm)或更小的范圍并且在第二方向上具有300微米(μm)或更大的范圍；

從初始輻射脈沖形成主輻射脈沖，所述主輻射脈沖是具有第一部分和第二部分的單個輻射脈沖，所述第二部分具有基于所述初始輻射脈沖的時間能量分布的時間能量分布并且所述第一部分具有不同于所述初始輻射脈沖的時間能量分布的時間能量分布；以及

將形成的所述主輻射脈沖朝向所述靶位置引導，以使所述輻射與所述靶相互作用，所述第二部分在所述第一部分之后到達所述靶位置，形成的所述主輻射脈沖在所述靶位置處在平行于所述第一方向的方向上傳播，其中：

形成的所述主輻射脈沖的第一部分與所述靶的相互作用形成修改靶，所述修改靶具有低于所述靶的密度；以及

形成的所述主輻射脈沖的第二部分與所述修改靶的相互作用將所述修改靶中的至少一些靶材轉換為發射EUV光的等離子體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在所述第一方向上所述靶的范圍在50nm與200nm之間，并且在所述第二方向上所述靶的范圍在300μm與350μm之間。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在所述第一方向上所述靶的范圍在50nm與200nm之間，并且在所述第二方向上所述靶的范圍在300μm與500μm之間。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述輻射的第一部分與第一峰值能量相關聯，并且所述輻射的第二部分與第二峰值能量相關聯，所述第二峰值能量大于所述第一峰值能量。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一峰值能量是所述第二峰值能量是1-10％。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述輻射的第一部分具有50-150ns的持續時間，并且所述第一峰值能量是5毫焦(mJ)或更小。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述輻射的第一部分是第一輻射脈沖，并且所述輻射的第二部分是第二輻射脈沖。

8.根據權利要求1所述的方法，其中將所述靶提供到靶位置包括：

將靶材液滴提供到初始靶位置；以及

將輻射脈沖朝向所述初始靶位置引導，使得所述輻射脈沖和所述靶材液滴相互作用以形成所述靶。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述靶材液滴是基本上球形的，并且具有17-35μm的直徑。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述直徑小于30μm。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述修改靶包括體積中的成片的靶材的集合。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述體積基本上是橢圓體的。

13.一種生成極紫外(EUV)光的方法，所述方法包括：

將靶提供到靶位置，所述靶包括在等離子狀態時發射EUV光的靶材，所述靶在第一方向上具有200納米(nm)或更小的范圍并且在第二方向上具有300微米(μm)或更大的范圍；

從初始輻射脈沖形成主輻射脈沖，所述主輻射脈沖具有第一部分和第二部分，所述第二部分具有基于所述初始輻射脈沖的時間能量分布的時間能量分布并且所述第一部分具有不同于所述初始輻射脈沖的時間能量分布的時間能量分布；以及

將所述主輻射脈沖朝向所述靶位置引導，以使所述主輻射脈沖與所述靶相互作用，所述主輻射脈沖的第一部分與所述靶之間的相互作用使得所述靶的密度降低，以及在所述主輻射脈沖的第二部分與所述靶之間的相互作用將具有降低的密度的靶中的靶材料中的至少一些轉換為發射EUV光的等離子體。