[發明專利]一種傳感器封裝結構以及電子設備

有效

• 申請號: 201911032286.0
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN110783318B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 龐勝利;解士翔;齊利克
• 申請（專利權）人: 濰坊歌爾微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;G01H17/00
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 王昭智

1.一種傳感器封裝結構，其特征在于，包括：

外殼；

封裝基板，所述封裝基板與所述外殼固定連接，所述外殼和所述封裝基板一起包圍形成容置腔；

ASIC芯片，所述ASIC芯片嵌設在所述封裝基板內；

設置在所述封裝基板上的兩個屏蔽層，兩個所述屏蔽層分別位于所述ASIC芯片的正上方和正下方，兩個所述屏蔽層均接地，兩個所述屏蔽層屏蔽的區域將所述ASIC芯片完全覆蓋；

所述外殼為金屬材質，所述外殼與所述封裝基板固定連接，所述外殼接地；

所述外殼包括第一外殼和套設在所述第一外殼外側的第二外殼，所述第一外殼與所述第二外殼相間隔；

在所述第一外殼和所述第二外殼之間設置有芯層，所述芯層為不導電的材料，以避免所述第一外殼和所述第二外殼之間形成通路；

還包括設置在所述容置腔內的傳感器芯片，所述ASIC芯片的信號傳輸線路穿過正上方的屏蔽層與所述傳感器芯片電連接。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括多個設置在所述封裝基板上的金屬化通孔，所述金屬化通孔將兩個所述屏蔽層連通，多個所述金屬化通孔分布在所述ASIC芯片的周邊。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，多個所述金屬化通孔設置在所述ASIC芯片相對的兩個側邊外。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，兩個所述屏蔽層中的至少一個設置在所述封裝基板的表面上。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述外殼通過兩個所述屏蔽層中的至少一個進行接地；或者

所述外殼通過兩個所述屏蔽層以外的電路進行接地。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，還包括設置在所述容置腔內的傳感器芯片，在所述封裝基板上設置有與所述傳感器芯片連通的通孔，其特征在于，傳感器芯片包括襯底和振膜，所述襯底的中部形成背腔，所述振膜固定在所述背腔的一端，所述襯底的另一端固定在所述封裝基板上，所述振膜與所述ASIC芯片電連接。

7.根據權利要求1所述的封裝結構，還包括設置在所述容置腔內的傳感器芯片，在所述封裝基板上設置有與所述傳感器芯片連通的通孔，其特征在于，傳感器芯片包括襯底和振膜，所述襯底的中部形成背腔，所述振膜固定在所述背腔的一端，所述傳感器芯片倒裝在所述封裝基板上，所述振膜通過設置在所述襯底上的焊盤與所述ASIC芯片電連接。

8.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括設置在所述封裝基板上的濾波器件，所述濾波器件與所述ASIC芯片連接。

9.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述屏蔽層為銅層。

10.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的封裝結構。