[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體套刻精度的控制方法及疊層標(biāo)記

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911032221.6
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN112731778B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張偉
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;H01L21/67
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 虞凌霄

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體套刻精度的控制方法，該方法包括根據(jù)所述主套刻疊層標(biāo)記獲取主量測值；根據(jù)所述輔助套刻疊層標(biāo)記獲取輔助量測值；基于所述主量測值和所述輔助量測值進(jìn)行套刻補償。另外，還公開了一種半導(dǎo)體套刻疊層標(biāo)記。采用本發(fā)明提高了半導(dǎo)體套刻的精度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及一種半導(dǎo)體套刻精度的控制方法及疊層標(biāo)記。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體制造的工藝尺寸越來越小，對半導(dǎo)體制造精度的要求也越來越高。目前在小尺寸的工藝制程中，為了保證套刻疊層標(biāo)記能真實反映芯片內(nèi)的套刻對準(zhǔn)行為，套刻疊層標(biāo)記會采取與芯片中圖案一樣的設(shè)計。但是后續(xù)工藝往往會影響套刻疊層標(biāo)記的質(zhì)量，導(dǎo)致量測結(jié)果錯誤或者不準(zhǔn)確，妨礙制程工藝質(zhì)量控制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體套刻精度的控制方法及疊層標(biāo)記，用以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體套刻精度的控制方法，該方法包括：

根據(jù)主套刻疊層標(biāo)記獲取主量測值；

根據(jù)輔助套刻疊層標(biāo)記獲取輔助量測值；

基于所述主量測值和所述輔助量測值進(jìn)行套刻補償。

本技術(shù)方案在主套刻疊層標(biāo)記的基礎(chǔ)上還設(shè)置了輔助套刻疊層標(biāo)記，在主套刻疊層標(biāo)記出現(xiàn)偏差時，通過輔助量測標(biāo)記進(jìn)行補償，提高了量測精度。

優(yōu)選的，所述主套刻疊層標(biāo)記包括異常主套刻疊層標(biāo)記，根據(jù)所述主量測值與預(yù)設(shè)閾值的比較結(jié)果判定所述主套刻疊層標(biāo)記是否為所述異常主套刻疊層標(biāo)記。提高了量測的精度。

優(yōu)選的，所述根據(jù)所述主量測值與預(yù)設(shè)閾值的比較結(jié)果判定主套刻疊層標(biāo)記是否為異常主套刻疊層標(biāo)記的步驟包括：

所述主量測值包括偏移值和/或Q-Merit值；

所述偏移值和/或Q-Merit值大于所述預(yù)設(shè)閾值，判定所述主套刻疊層標(biāo)記是所述異常主套刻疊層標(biāo)記。

優(yōu)選的，基于所述主量測值和所述輔助量測值進(jìn)行套刻補償?shù)牟襟E包括：

獲取所述異常主套刻疊層標(biāo)記的異常Q-Merit值；

根據(jù)所述異常Q-Merit值和所述輔助量測值確定反饋補償值；

根據(jù)所述反饋補償值進(jìn)行套刻補償。

優(yōu)選的，所述根據(jù)所述異常Q-Merit值和所述輔助量測值確定反饋補償值的步驟，還包括：

根據(jù)所述異常主套刻疊層的主量測值和所述輔助套刻疊層標(biāo)記的輔助量測值判定所述異常Q-Merit值的方向；

所述反饋補償值為所述帶方向的異常Q-Merit值與所述輔助量測值之和。

優(yōu)選的，所述主套刻疊層標(biāo)記與所述輔助套刻疊層標(biāo)記之間的距離小于5mm。

相應(yīng)的，還提供了一種半導(dǎo)體套刻疊層標(biāo)記，該標(biāo)記包括：

主套刻疊層標(biāo)記，所述主套刻疊層標(biāo)記包括多個沿第一方向延伸的主子線條；

輔助套刻疊層標(biāo)記，所述輔助套刻疊層標(biāo)記包括多個沿第二方向延伸的輔助子線條；

所述第一方向不同于所述第二方向。

本技術(shù)技術(shù)方案輔助套刻疊層標(biāo)記的輔助子線條延伸的第二方向不同于主套刻疊層標(biāo)記的主線條延伸的第一方向，降低了所述輔助套刻疊層標(biāo)記對制程工藝的敏感度。

優(yōu)選的，所述輔助子線條的Pitch大于所述主子線條的Pitch。本技術(shù)方案中較大的輔助子線條pitch，進(jìn)一步增大了輔助疊層套刻標(biāo)記對制程工藝差異的冗余度。