[發明專利]微型發光二極管裝置有效
| 申請號: | 201911032090.1 | 申請日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN110752228B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發明(設計)人: | 陳培欣;史詒君;吳志凌 | 申請(專利權)人: | 錼創顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學園*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光二極管 裝置 | ||
本發明提供一種微型發光二極管裝置,適包括基板、微型發光二極管、第一保護層及第二保護層。微型發光二極管適于設置于基板上。第一保護層配置于微型發光二極管的外側壁的第一部分,且與基板具有間隙。第二保護層至少配置于微型發光二極管的外側壁的第二部分且位于第一保護層與基板之間的間隙內。第二保護層在基板上的高度小于等于微型發光二極管在基板上的高度。
技術領域
本發明涉及一種微型發光二極管裝置,尤其涉及一種具有保護層的微型發光二極管裝置。
背景技術
隨著光電科技的進步,許多光電元件的體積逐漸往小型化發展。近幾年來由于發光二極管(Light-Emitting Diode,LED)制作尺寸上的突破,所以發光二極管不僅可應用于照明技術,也適用于制作顯示面板。目前將發光二極管以陣列排列制作的微型發光二極管(micro-LED)顯示器在市場上逐漸受到重視。微型發光二極管顯示器屬于主動式發光二極管顯示器,其除了相較于有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器而言更為省電以外,也具備更佳優異的對比度表現,而可以在陽光下具有可視性。此外,由于微型發光二極管顯示器采用無機材料,因此其相較于有機發光二極管顯示器而言具備更佳優良的可靠性以及更長的使用壽命。要如何能夠更對微型發光二極管等微型發光二極管提供更佳的保護則是本領域的研究目標。
發明內容
本發明提供一種微型發光二極管裝置,其具有保護層。
本發明的一種微型發光二極管裝置包括基板、微型發光二極管、第一保護層及第二保護層。微型發光二極管適于設置于基板上。第一保護層配置于微型發光二極管的外側壁的第一部分,且與基板具有間隙。第二保護層至少配置于微型發光二極管的外側壁的第二部分且位于第一保護層與基板之間的間隙內,第二保護層在基板上的高度小于等于微型發光二極管在基板上的高度。
在本發明的一實施例中,上述的第二保護層在基板上的高度小于等于微型發光二極管在基板上的高度的0.5倍。
在本發明的一實施例中,上述的第一保護層的材質不同于第二保護層的材質。
在本發明的一實施例中,上述的第一保護層的楊氏模數大于第二保護層的楊氏模數。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極管包括發光層,第二保護層在基板上的高度小于發光層在基板上的高度。
在本發明的一實施例中,上述的第二保護層為不透光層。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極管的外側壁的第一部分的粗糙度小于第二部分的粗糙度。
在本發明的一實施例中,上述的第二保護層還配置于微型發光二極管的底面,而介于微型發光二極管與基板之間。
在本發明的一實施例中,上述的第二保護層在對應于微型發光二極管的底面的部位具有至少一孔洞,至少一孔洞占微型發光二極管的底面的面積介于10%至90%之間。
在本發明的一實施例中,上述的第一保護層于基板上的投影小于第二保護層于基板上的投影。
在本發明的一實施例中,上述的第一保護層于基板上的投影大于第二保護層于基板上的投影。
在本發明的一實施例中,上述的第二保護層為導電層。
在本發明的一實施例中,上述的第二保護層延伸至微型發光二極管的至少部分底面而作為第一型電極電性連接基板。
基于上述,本發明的微型發光二極管裝置的第一保護層配置于微型發光二極管的外側壁的第一部分,第二保護層至少配置于微型發光二極管的外側壁的第二部分且位于第一保護層與基板之間的間隙內,因此,本發明的微型發光二極管裝置的微型發光二極管可被良好地保護。
附圖說明
圖1是依照本發明的一實施例的一種微型發光二極管裝置的剖面示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





