[發明專利]微型發光二極管裝置有效
| 申請號: | 201911032090.1 | 申請日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN110752228B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發明(設計)人: | 陳培欣;史詒君;吳志凌 | 申請(專利權)人: | 錼創顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學園*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光二極管 裝置 | ||
1.一種微型發光二極管裝置,其特征在于,包括:
基板;
微型發光二極管,適于設置于所述基板上;
第一保護層,配置于所述微型發光二極管的外側壁的第一部分,且與所述基板具有間隙;以及
第二保護層,至少配置于所述微型發光二極管的所述外側壁的第二部分且位于所述第一保護層與所述基板之間的所述間隙內,且所述第二保護層在所述基板上的高度小于等于所述微型發光二極管在所述基板上的高度,所述第二保護層同時接觸所述第一保護層與所述基板,所述第二保護層與第一保護層彼此鄰接而封閉所述微型發光二極管的所述外側壁,所述第一保護層的材質不同于所述第二保護層的材質,所述第一保護層的楊氏模數大于所述第二保護層的楊氏模數。
2.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述第二保護層在所述基板上的高度小于等于所述微型發光二極管在所述基板上的高度的0.5倍。
3.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述微型發光二極管元件包括發光層,所述第二保護層在所述基板上的高度小于所述發光層在所述基板上的高度。
4.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述第二保護層為不透光層。
5.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述微型發光二極管的所述外側壁的所述第一部分的粗糙度小于所述第二部分的粗糙度。
6.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述第二保護層還配置于所述微型發光二極管的底面,而介于所述微型發光二極管與所述基板之間。
7.根據權利要求6所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述第二保護層在對應于所述微型發光二極管的所述底面的部位具有至少一孔洞,所述至少一孔洞占所述微型發光二極管的所述底面的面積介于10%至90%之間。
8.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述第一保護層于所述基板上的投影小于所述第二保護層于所述基板上的投影。
9.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述第一保護層于所述基板上的投影大于所述第二保護層于所述基板上的投影。
10.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置,其特征在于,所述第二保護層為導電層。
11.根據權利要求10所述的微型發光二極管裝置,其中所述第二保護層延伸至所述微型發光二極管的至少部分底面,而作為第一型電極電性連接所述基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





