[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911031657.3
• 申請(qǐng)日: 2019-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN110867456A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奚蘇萍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 黃靈飛

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，該基板包括顯示區(qū)和GOA區(qū)，陣列基板位于AA區(qū)內(nèi)的有源層的厚度，大于位于GOA區(qū)內(nèi)的有源層的厚度；通過將GOA區(qū)和顯示區(qū)內(nèi)陣列基板的有源層設(shè)置成不同的厚度，GOA區(qū)內(nèi)的有源層的厚度設(shè)置的較小，有助于實(shí)現(xiàn)GOA區(qū)域內(nèi)薄膜晶體管快速響應(yīng)的需求；顯示區(qū)內(nèi)有源層的厚度設(shè)置的較大，可以緩解光子在有源層內(nèi)的擴(kuò)散，從而達(dá)到減小顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管負(fù)偏的影響；這樣對(duì)GOA區(qū)和顯示區(qū)內(nèi)有源層的不同厚度設(shè)置，同時(shí)滿足了顯示區(qū)和GOA區(qū)域內(nèi)，陣列基板的不同特征需求，提高了顯示面板的質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)

GOA(Gate Driver On Array，柵極驅(qū)動(dòng)集成在陣列基板上)技術(shù)由于具備可以節(jié)省柵極驅(qū)動(dòng)集成電路、實(shí)現(xiàn)窄邊框等優(yōu)勢(shì)，目前已經(jīng)廣泛的運(yùn)用于面板設(shè)計(jì)當(dāng)中。

在面板的顯示區(qū)內(nèi)，由于受到開口率的限制，黑矩陣的寬度設(shè)定在一定的范圍內(nèi)，無法增大，這樣就導(dǎo)致了射入到黑矩陣邊緣的光線會(huì)通過漫反射、折射等原因照射到陣列基板上；顯示區(qū)內(nèi)陣列基板的柵極端長(zhǎng)時(shí)間受到負(fù)向電壓，陣列基板經(jīng)常受到光照，會(huì)加速薄膜晶體管的負(fù)偏。在GOA區(qū)域內(nèi)，由于黑矩陣大面積遮擋，存在漏光的可能性很小；而GOA區(qū)的陣列基板為了達(dá)到快速響應(yīng)的目的，通常對(duì)其有源區(qū)的厚度進(jìn)行細(xì)部追究。所以，如何減小顯示區(qū)內(nèi)陣列基板的負(fù)偏，提高GOA區(qū)內(nèi)陣列基板的響應(yīng)速度，從而提高顯示質(zhì)量，顯得尤為重要。

因此，現(xiàn)有顯示面板存在顯示區(qū)內(nèi)陣列基板的負(fù)偏需要避免，GOA區(qū)內(nèi)陣列基板的響應(yīng)速度需要提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以緩解現(xiàn)有顯示面板存在顯示區(qū)內(nèi)陣列基板的負(fù)偏需要避免，GOA區(qū)內(nèi)陣列基板的響應(yīng)速度需要提高的問題。

為解決以上問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種陣列基板，其包括顯示區(qū)和GOA區(qū)，所述陣列基板包括：

襯底；

有源層，形成于所述襯底上，圖案化形成有源區(qū)；

源漏極層，形成于所述有源層上；

其中，位于所述顯示區(qū)內(nèi)的有源區(qū)的厚度，大于位于所述GOA區(qū)內(nèi)的有源區(qū)的厚度。

在本發(fā)明提供的陣列基板中，所述陣列基板還包括在所述襯底上層疊設(shè)置的柵極層、柵極絕緣層、刻蝕阻擋層、鈍化層、以及平坦化層，所述有源層位于所述柵極絕緣層和所述刻蝕阻擋層之間，所述源漏極層位于所述刻蝕阻擋層和所述鈍化層之間。

在本發(fā)明提供的陣列基板中，所述陣列基板在顯示區(qū)內(nèi)的厚度，和在GOA區(qū)內(nèi)的厚度相同。

在本發(fā)明提供的陣列基板中，位于所述顯示區(qū)內(nèi)的鈍化層的厚度，小于位于所述GOA區(qū)內(nèi)的鈍化層的厚度。

在本發(fā)明提供的陣列基板中，位于所述顯示區(qū)內(nèi)的平坦化層的厚度，小于位于所述GOA區(qū)內(nèi)的平坦化層的厚度。

在本發(fā)明提供的陣列基板中，所述陣列基板還包括在所述襯底上層疊設(shè)置的柵極絕緣層、柵極層、層間絕緣層、鈍化層、以及平坦化層，所述有源層位于所述襯底和所述柵極絕緣層之間，所述源漏極層位于所述層間絕緣層和所述鈍化層之間。

在本發(fā)明提供的陣列基板中，所述陣列基板在顯示區(qū)內(nèi)的厚度，和在GOA區(qū)內(nèi)的厚度相同。

在本發(fā)明提供的陣列基板中，位于所述顯示區(qū)內(nèi)的層間絕緣層的厚度，小于位于所述GOA區(qū)內(nèi)的層間絕緣層的厚度。

在本發(fā)明提供的陣列基板中，位于所述顯示區(qū)內(nèi)的鈍化層的厚度，小于位于所述GOA區(qū)內(nèi)的鈍化層的厚度。