[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 201911031657.3
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN110867456A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: 奚蘇萍
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃靈飛

1.一種陣列基板，其特征在于，包括顯示區和GOA區，所述陣列基板包括：

襯底；

有源層，形成于所述襯底上，圖案化形成有源區；

源漏極層，形成于所述有源層上；

其中，位于所述顯示區內的有源區的厚度，大于位于所述GOA區內的有源區的厚度。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括在所述襯底上層疊設置的柵極層、柵極絕緣層、刻蝕阻擋層、鈍化層、以及平坦化層，所述有源層位于所述柵極絕緣層和所述刻蝕阻擋層之間，所述源漏極層位于所述刻蝕阻擋層和所述鈍化層之間。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板在顯示區內的厚度，和在GOA區內的厚度相同。

4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，位于所述顯示區內的鈍化層的厚度，小于位于所述GOA區內的鈍化層的厚度。

5.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，位于所述顯示區內的平坦化層的厚度，小于位于所述GOA區內的平坦化層的厚度。

6.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括在所述襯底上層疊設置的柵極絕緣層、柵極層、層間絕緣層、鈍化層、以及平坦化層，所述有源層位于所述襯底和所述柵極絕緣層之間，所述源漏極層位于所述層間絕緣層和所述鈍化層之間。

7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板在顯示區內的厚度，和在GOA區內的厚度相同。

8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，位于所述顯示區內的層間絕緣層的厚度，小于位于所述GOA區內的層間絕緣層的厚度。

9.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，位于所述顯示區內的鈍化層的厚度，小于位于所述GOA區內的鈍化層的厚度。

10.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，位于所述顯示區內的平坦化層的厚度，小于位于所述GOA區內的平坦化層的厚度。

11.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述GOA區內，所述陣列基板的有源層的材料為非晶硅或銦鎵鋅氧化合物。

12.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上沉積一層半導體有源層；

圖案化處理所述半導體有源層，得到有源區，位于顯示區內的有源區的厚度，大于位于GOA區內的有源區的厚度。

13.如權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述圖案化處理所述半導體有源層的具體步驟包括：

采用半光罩掩膜技術，圖案化處理所述半導體有源層。

14.如權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述圖案化處理所述半導體有源層的具體步驟包括：

采用灰色調掩膜技術，圖案化處理所述半導體有源層。

15.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括陣列基板，所述陣列基板包括顯示區和GOA區，位于所述顯示區內的有源層的厚度，大于位于所述GOA區內的有源層的厚度。