[發(fā)明專利]一種陣列基板、其制備方法及其顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911029531.2
• 申請(qǐng)日: 2019-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110828477A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖軍城;艾飛;尹國(guó)恒;許勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 黃靈飛

本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板、其制備方法及其顯示面板。其中所述TFT陣列基板，其定義有第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域上設(shè)置有第一TFT，所述第二區(qū)域上設(shè)置有第二TFT。其中所述第一TFT為頂柵型TFT，所述第二TFT為底柵型TFT，其中所述第一TFT的源漏極層采用的材料與所述第二TFT的柵極層所采用的材料一致。本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板，其采用新型的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得其上設(shè)置的第一TFT和第二TFT在設(shè)計(jì)和制程工藝上能夠得到很好的兼容，從而有效的減小兩者所在陣列基板的制程風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及平面顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是，其中的一種陣列基板、其制備方法及其顯示面板。

背景技術(shù)

已知，隨著顯示技術(shù)的不斷向前發(fā)展，新型的平面顯示器已開(kāi)始全面取代CRT顯示器，成為市場(chǎng)上的主流顯示設(shè)備。

而其中的液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)因其自身所具有的高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

近年來(lái)LCD器件呈現(xiàn)出了高分辨率、窄邊框和低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。為在有限的空間和電池容量下尋找更省電的辦法，低溫多晶氧化物L(fēng)ow Temperature Poly-Oxide(LTPO)顯示技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。該技術(shù)為在顯示面板的GOA區(qū)采用Low Temperature Poly-Silicon(LTPS)薄膜晶體管，在AA區(qū)采用氧化物薄膜晶體管，其中LTPS技術(shù)遷移率高、尺寸小、充電快可有效減小邊框尺寸，而IGZO技術(shù)暗電流小、可低頻驅(qū)動(dòng)，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn)窄邊框和低功耗功能。

但是，對(duì)于LTPO型陣列基板而言，其上同時(shí)設(shè)置的LTPS TFT和Oxide TFT兩者之間存在較多設(shè)計(jì)和制程工藝上的不兼容問(wèn)題。例如，LTPS TFT中的SD制程中使用的Pre-Clean(HF溶液)溶液會(huì)蝕刻Oxide TFT中的IGZO層，LTPS TFT中的ILD層在完成后其內(nèi)含有的大量殘留的H會(huì)破壞Oxide TFT中的IGZO層的電性，以及LTPS TFT和Oxide TFT兩者共用膜層的膜厚要求不一致以及因兩者厚度不同而導(dǎo)致的深淺孔的蝕刻不同等等問(wèn)題。

因此，確有必要來(lái)開(kāi)發(fā)一種新型的TFT陣列基板，來(lái)克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種TFT陣列基板，其采用新型的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得其上設(shè)置的LTPS(Low Temperature Poly-Silicon)TFT和Oxide TFT在設(shè)計(jì)和制程工藝上能夠得到很好的兼容，從而有效的減小兩者所在的LTPO型陣列基板的制程風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種TFT陣列基板，其定義有第一區(qū)域和第二區(qū)域；其包括基板層，其中所述基板層在所述第一區(qū)域上設(shè)置有第一TFT，在所述第二區(qū)域上設(shè)置有第二TFT。其中所述第一TFT為頂柵型TFT，所述第二TFT為底柵型TFT，其中所述第一TFT的源漏極層采用的材料與所述第二TFT的柵極層所采用的材料一致。

進(jìn)一步的，在不同實(shí)施方式中，其中所述第一TFT的源漏極層與所述第二TFT的柵極層是在制程中的同一工藝步驟中形成的。

進(jìn)一步的，在不同實(shí)施方式中，其中所述第一區(qū)域?yàn)镚OA區(qū)域，所述第一TFT為L(zhǎng)TPS型TFT。

進(jìn)一步的，在不同實(shí)施方式中，其中所述第二區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域(AA區(qū))，所述第二TFT為氧化物半導(dǎo)體型TFT。

進(jìn)一步的，在不同實(shí)施方式中，其中所述第二TFT中用作有源層(Active)的氧化物半導(dǎo)體層采用的材料包括In-Ga-Zn-O、In-Ga-O、Ga-Zn-O、In-Hf-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O和In-Al-Zn-O等氧化物半導(dǎo)體材料中的一種。