[發明專利]一種陣列基板、其制備方法及其顯示面板

在審

• 申請號: 201911029531.2
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN110828477A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 肖軍城;艾飛;尹國恒;許勇
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃靈飛

1.一種TFT陣列基板，其定義有第一區域和第二區域；其特征在于，其包括基板層，其中所述基板層在所述第一區域上設置有第一TFT，在所述第二區域上設置有第二TFT；

其中所述第一TFT為頂柵型TFT，所述第二TFT為底柵型TFT；其中所述第一TFT的源漏極層采用的材料與所述第二TFT的柵極層采用的材料一致。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板；其特征在于，其中所述第一TFT的源漏極層與所述第二TFT的柵極層是在同一工藝步驟中形成的。

3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板；其特征在于，其中所述第一區域為GOA區域，所述第一TFT為LTPS型TFT。

4.根據權利要求1所述的TFT陣列基板；其特征在于，其中所述第二區域為顯示區域，所述第二TFT為氧化物半導體型TFT。

5.根據權利要求4所述的TFT陣列基板；其特征在于，其中所述第二TFT中用作有源層的氧化物半導體層采用的材料包括In-Ga-Zn-O、In-Ga-O、Ga-Zn-O、In-Hf-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O和In-Al-Zn-O等氧化物半導體材料中的一種。

6.一種制備根據權利要求1所述的TFT陣列基板的制備方法；其特征在于，其包括以下步驟：

步驟S1、提供一基板層，其定義有第一區域和第二區域，于所述基板層的第一區域制備完成所述第一TFT；以及

步驟S2、于所述基板層的第二區域制備完成所述第二TFT；

其中，在所述步驟S1中，在進行所述第一TFT的源漏極層制備的同時，也進行所述第二TFT的柵極層的制備，進而使得兩者在同一步驟中完成。

7.根據權利要求6所述的制備方法；其特征在于，在所述步驟S1中，其中所述第一TFT的制備包括以下子步驟：

S11、于所述第一區域上制備Poly型有源層；

S12、于所述有源層上制備第一柵極絕緣層；

S13、于所述柵極絕緣層上制備用作柵極層的第一金屬層；

S14、于所述第一金屬層上制備層間介質層；以及

S15、于所述層間介質層上制備第二金屬層用作源漏極層；

其中在所述步驟S15中，所述第二金屬層是整層沉積在所述第一區域和第二區域上，對其進行圖案化和刻蝕處理后，其會分別在所述第一區域形成所述第一TFT的源漏極層，而在所述第二區域則是形成用作所述第二TFT的柵極層。

8.根據權利要求6所述的制備方法；其特征在于，在所述步驟S2中，其中所述第二TFT的制備包括以下子步驟：

S21、于所述第一區域和第二區域上制備第二柵極絕緣層，并于所述第二區域上的所述第二柵極絕緣層上制備用作有源層的半導體金屬氧化物層；

S22、于所述第一區域和第二區域上制備蝕刻阻擋層，其中所述蝕刻阻隔層在所述第二區域是設置在所述半導體金屬氧化物層上；以及

S23、于所述第二區域的所述蝕刻阻隔層上制備作為所述第二TFT的源漏極層的第三金屬層。

9.根據權利要求6所述的制備方法；其特征在于，其還包括步驟S3，其為進行所述TFT陣列基板包括的平坦層、公共電極層、鈍化層和像素電極層的制備。

10.一種顯示裝置；其特征在于，其包括根據權利要求1所述的TFT陣列基板。