[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911029157.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111106257A | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李駿熙;金成旻;柳慜烈;田宇植;鄭多暎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強(qiáng) |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括:基體基底,包括在其處發(fā)射光的發(fā)射區(qū)域和與發(fā)射區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域;封裝基底,設(shè)置在基體基底上;公共層,處于基體基底與封裝基底之間,公共層設(shè)置在發(fā)射區(qū)域和外圍區(qū)域兩者中;平坦化層、發(fā)射區(qū)域中的像素電極以及像素限定層,它們中的每個(gè)處于基體基底與公共層之間;以及排放孔,對(duì)應(yīng)于像素限定層設(shè)置,排放孔延伸穿過公共層。
技術(shù)領(lǐng)域
實(shí)施例涉及一種顯示裝置。更具體地,實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置和一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有包括空穴注入層、電子注入層和形成于其間的有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光二極管。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中,隨著激子從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)而可以產(chǎn)生光,激子是從空穴注入層注入的空穴和從電子注入層注入的電子的組合。有機(jī)發(fā)光顯示裝置不會(huì)包括用于產(chǎn)生光的單獨(dú)光源,因此有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有相對(duì)小的厚度和輕的重量以及相對(duì)低的功耗。此外,有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有相對(duì)寬的視角、高的對(duì)比度和高的響應(yīng)速度等。
有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括平坦化層、像素限定層和間隔件。平坦化層可以保護(hù)用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜晶體管,并且可以在其上提供平坦化的表面。像素限定層可以設(shè)置在平坦化層上以將像素彼此分開。間隔件可以設(shè)置在像素限定層上以保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管免受封裝基底的影響。平坦化層、像素限定層和間隔件中的每個(gè)可以包括包含有機(jī)材料的有機(jī)層。
發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置,在該有機(jī)發(fā)光顯示裝置中,減少或有效地防止由于從包括有機(jī)材料的有機(jī)層排放的氣體導(dǎo)致的像素收縮。
實(shí)施例提供一種用于減少或有效地防止由于從包括有機(jī)材料的有機(jī)層排放的氣體導(dǎo)致的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素收縮的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基體基底,包括在其處發(fā)射光的發(fā)射區(qū)域和與發(fā)射區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域;封裝基底,設(shè)置在基體基底上;公共層,處于基體基底與封裝基底之間,公共層設(shè)置在發(fā)射區(qū)域和外圍區(qū)域兩者中;平坦化層、發(fā)射區(qū)域中的像素電極以及像素限定層,它們中的每個(gè)處于基體基底與公共層之間;以及排放孔,對(duì)應(yīng)于像素限定層設(shè)置,排放孔延伸穿過公共層。
在實(shí)施例中,有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括:間隔件,設(shè)置在像素限定層與公共層之間。
在實(shí)施例中,排放孔可以延伸穿過公共層并且延伸到間隔件中。
在實(shí)施例中,排放孔可以延伸穿過公共層、間隔件,并且延伸到像素限定層中。
在實(shí)施例中,間隔件的寬度可以小于像素限定層的寬度。
在實(shí)施例中,排放孔可以與間隔件的邊緣間隔開至少大約3微米(μm)。
在實(shí)施例中,排放孔的寬度可以在從大約1微米(μm)至大約100μm的范圍內(nèi)。
在實(shí)施例中,平坦化層和像素限定層中的每個(gè)可以各包括有機(jī)材料。
在實(shí)施例中,有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置在像素電極上的發(fā)光層。公共層可以包括設(shè)置在發(fā)光層上的共電極。
在實(shí)施例中,公共層還可以包括:第一功能層,設(shè)置在像素電極與發(fā)光層之間;以及第二功能層,設(shè)置在發(fā)光層與共電極之間。
在實(shí)施例中,公共層還可以包括:覆蓋層,設(shè)置在共電極與封裝基底之間。
在實(shí)施例中,有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括:薄膜晶體管,設(shè)置在基體基底上。平坦化層可以覆蓋薄膜晶體管。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長
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