[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911029157.6
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN111106257A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設計）人: 李駿熙;金成旻;柳慜烈;田宇植;鄭多暎
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：

基體基底，包括在其處發(fā)射光的發(fā)射區(qū)域和與所述發(fā)射區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域；

封裝基底，設置在所述基體基底上；

公共層，處于所述基體基底與所述封裝基底之間，所述公共層設置在所述發(fā)射區(qū)域和所述外圍區(qū)域兩者中；

平坦化層、處于所述發(fā)射區(qū)域中的像素電極以及像素限定層，它們中的每個處于所述基體基底與所述公共層之間；以及

排放孔，對應于所述像素限定層設置，所述排放孔延伸穿過所述公共層。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括：

間隔件，設置在所述像素限定層與所述公共層之間。

3.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，對應于所述像素限定層的所述排放孔延伸穿過所述公共層并且延伸到所述間隔件中。

4.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，對應于所述像素限定層的所述排放孔延伸穿過所述公共層、所述間隔件并且延伸到所述像素限定層中。

5.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，沿著同一方向，所述間隔件的寬度小于所述像素限定層的寬度。

6.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述平坦化層和所述像素限定層中的每個包括有機材料。

7.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括：

發(fā)光層，在所述發(fā)射區(qū)域中設置在所述像素電極上，

其中，所述公共層包括與所述發(fā)光層疊置的共電極。

8.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述公共層還包括多個功能層，所述光利用所述多個功能層在所述發(fā)射區(qū)域處發(fā)射，所述多個功能層包括：

第一功能層，設置在所述像素電極與所述發(fā)光層之間；以及

第二功能層，設置在所述發(fā)光層與所述共電極之間。

9.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述公共層還包括：覆蓋層，處于所述共電極與所述封裝基底之間。

10.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括：

在基體基底上設置封裝基底，所述基體基底包括在其處發(fā)射光的發(fā)射區(qū)域和與所述發(fā)射區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域；

在所述基體基底與所述封裝基底之間設置公共層，所述公共層設置在所述發(fā)射區(qū)域和所述外圍區(qū)域兩者中；

在所述基體基底與所述公共層之間設置平坦化層、處于所述發(fā)射區(qū)域中的像素電極以及像素限定層中的每個；以及

設置對應于所述像素限定層的排放孔，所述排放孔延伸穿過所述公共層，

其中，所述排放孔通過利用激光束照射所述公共層的激光鉆孔工藝來設置。