[發明專利]一種仿真方法和裝置及可讀存儲介質

有效

• 申請號: 201911025744.8
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN110750944B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 王正楠
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G06F30/30
• 分類號: G06F30/30;G06F30/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種仿真方法，用于在SPICE仿真系統中建立電阻模塊的仿真模型，其特征在于，所述仿真方法包括：

S1：獲取所述電阻模塊的仿真模型，所述仿真模型包括第一電阻、第二電阻、第一寄生二極管、第二寄生二極管以及修正電路，所述第一電阻與所述第二電阻用于仿真所述電阻模塊的阻值，所述第一寄生二極管以及所述第二寄生二極管用于仿真所述電阻模塊的N埋層對P阱的寄生二極管，所述修正電路用于仿真所述電阻模塊的電阻襯偏效應，所述修正電路包括第一修正電阻、第二修正電阻、第一電壓源以及第二電壓源，其中：

所述第一修正電阻、所述第一電阻、所述第二電阻和所述第二修正電阻順次串聯連接，并組成一串聯電路；

所述第一電壓源與所述第一修正電阻并聯連接，所述第二電壓源與所述第二修正電阻并聯連接；

所述第一寄生二極管與所述第二寄生二極管分別與所述串聯電路的兩端連接；

S2：獲取所述電阻模塊的仿真參數；

S3：基于所述仿真模型和所述仿真參數進行SPICE仿真。

2.如權利要求1所述的一種仿真方法，其特征在于，所述S2中：所述仿真參數包括第一修正系數、第二修正系數以及第三修正系數；

所述第一修正系數為所述電阻模塊的襯偏電壓的一階電壓修正系數，所述第二修正系數為所述電阻模塊的襯偏電壓的二階電壓修正系數，所述第三修正系數為所述電阻模塊的襯偏電壓隨電阻寬度變化的修正系數；

所述第一修正系數、所述第二修正系數以及所述第三修正系數通過擬合調試獲取。

3.如權利要求2所述的一種仿真方法，其特征在于，所述電阻模塊為P阱電阻，所述P阱電阻具有第一端口、第二端口以及第三端口，所述第一端口為所述P阱電阻的高壓偏置端口，所述第二端口為所述P阱電阻的低壓偏置端口，所述第三端口為所述P阱電阻的N型隔離端口；

所述第一電壓源的電壓值滿足：

ex₁＝(1+p₁*max(abs(v(3,1)),abs(v(3,2)))*(1-p₃/w²)+p₂*max(abs(v(3,1)),abs(v(3,

2)))²*(1-p₃/w²)*(1-p₃/w²))

其中，ex₁為所述第一電壓源的電壓值，p₁為所述第一修正系數，p₂為所述第二修正系數，p₃為所述第三修正系數，w為P阱在所述P阱電阻的版圖的寬度，v(3,1)為所述第三端口與所述第一端口的電壓差，v(3,2)為所述第三端口與所述第二端口的電壓差。

4.如權利要求3所述的一種仿真方法，其特征在于，所述第二電壓源的電壓值與所述第一電壓源的電壓值相等。

5.如權利要求2所述的一種仿真方法，其特征在于，在SPICE仿真系統中對比所述電阻模塊的實測數據和仿真數據，擬合調試所述第一修正系數、所述第二修正系數以及所述第三修正系數以使得仿真數據與實測數據對應相等。

6.如權利要求1所述的一種仿真方法，其特征在于，根據所述電阻模塊的偏置電壓大小調整所述第一修正電阻以及所述第二修正電阻的值。