[發明專利]一種薄膜晶體管、顯示面板及薄膜晶體管的制作方法

在審

• 申請號: 201911024849.1
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN110729359A
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發明（設計）人: 謝華飛
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 44570 深圳紫藤知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊艇要

本發明公開了一種薄膜晶體管、顯示面板及薄膜晶體管的制作方法。薄膜晶體管包括從下至上依次層疊設置的基板、柵極層、介電層、有源層、源漏極層；所述柵極層上表面設有復數個加強部；其中，所述加強部用于增大柵極層上表面的面積，使所述柵極層與所述有源層的有效對接面積增大，減小所述薄膜晶體管的寬度和長度，減小所述薄膜晶體管的寄生電容。本發明通過設置所述加強部與所述有源層的有效對接面積增大，使得所述柵極層所占面積減少同時又不影響有源層的通電性，提高了顯示面板的穿透率，減少了顯示面板的寄生電容，提高了薄膜晶體管和顯示面板的性能。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種頂柵薄膜晶體管的薄膜晶體管、顯示面板及薄膜晶體管的制作方法。

背景技術

目前，在薄膜晶體管(TFT)器件中，有源層通過柵極電壓調節實現源漏極的導通或斷開。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關，柵極與半導體材料的有源層對應設置，在柵極施加電壓會吸引有源層的參雜半導體中的電子，隨著柵極電壓增高，會使半導體中的電子驟然增多，在有源層中形成溝道，從而使得位于有源層兩端的源極和漏極導通；通過對柵極施加電壓控制形成或者消除溝道，從而允許或者阻礙電子流過。在顯示應用中，柵極還具有對有源層遮擋光以減少光對有源層影響的作用。但同時，柵極太寬也會降低薄膜晶體管器件的穿透率并且會增大顯示面板的寄生電容，從而降低顯示性能。

因此，確有必要來開發一種新型的薄膜晶體管、顯示面板及薄膜晶體管的制作方法，來克服現有技術中的缺陷。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管、顯示面板及薄膜晶體管的制作方法，通過改變薄膜晶體管的柵極結構，使得在減少柵極所占面積同時又不影響有源層的通電性，提高了顯示面板的穿透率，減少了顯示面板的寄生電容，提高了薄膜晶體管和顯示面板的性能。

為了實現上述目的，本發明提供一種薄膜晶體管，其包括從下至上依次層疊設置的基板、柵極層、介電層、有源層、源漏極層。具體地講，所述柵極層設于所述基板上；所述柵極層上表面設有復數個加強部；所述介電層設于所述柵極層上且完全包覆所述柵極層；所述有源層設于所述介電層上且完全包覆所述介電層；所述源漏極層設于所述有源層上且與所述有源層電連接；所述源漏極層包括源電極和漏電極，所述源電極設于所述有源層的一端，所述漏電極設于所述有源層的另一端；其中，所述加強部用于增大所述柵極層上表面的面積，使所述柵極層與所述有源層的有效對接面積增大，減小所述薄膜晶體管的寬度和長度，減小所述薄膜晶體管的寄生電容。

進一步地，所述加強部呈陣列式排布于所述柵極層上。

進一步地，所述加強部呈柱形、條形、網格形中的任一種。

進一步地，所述薄膜晶體管還包括阻擋層，所述阻擋層設于所述有源層上；所述源電極設于所述有源層及所述阻擋層的一端，所述漏電極設于所述有源層及所述阻擋層的另一端。

進一步地，所述加強部呈陣列式排布于所述柵極層上。

進一步地，所述薄膜晶體管還包括鈍化層、像素電極，所述鈍化層設于所述源漏極層上且完全包覆所述鈍化層及所述有源層；所述像素電極設于所述鈍化層上且與所述漏電極電連接。

本發明還提供一種薄膜晶體管的制作方法，其包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上制作一層金屬膜并圖案化處理形成一柵極層；

在所述柵極層上表面制作復數個加強部；

在所述柵極層上制作一介電層，所述介電層完全包覆所述柵極層；

在所述介電層上制作一有源層，所述有源層完全包覆所述介電層；以及