[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管、顯示面板及薄膜晶體管的制作方法

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• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN110729359A
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝華飛
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 44570 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊艇要

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

柵極層，設(shè)于所述基板上；所述柵極層上表面設(shè)有復(fù)數(shù)個加強(qiáng)部；

介電層，設(shè)于所述柵極層上且完全包覆所述柵極層；

有源層，設(shè)于所述介電層上且完全包覆所述介電層；以及

源漏極層，設(shè)于所述有源層上且與所述有源層電連接；所述源漏極層包括源電極和漏電極，所述源電極設(shè)于所述有源層的一端，所述漏電極設(shè)于所述有源層的另一端；

其中，所述加強(qiáng)部用于增大所述柵極層上表面的面積，使所述柵極層與所述有源層的有效對接面積增大，減小所述薄膜晶體管的寬度和長度，減小所述薄膜晶體管的寄生電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述加強(qiáng)部呈陣列式排布于所述柵極層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述加強(qiáng)部呈柱形、條形、網(wǎng)格形中的任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括

阻擋層，設(shè)于所述有源層上；

所述源電極設(shè)于所述有源層及所述阻擋層的一端，所述漏電極設(shè)于所述有源層及所述阻擋層的另一端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括

鈍化層，設(shè)于所述源漏極層上且完全包覆所述鈍化層及所述有源層；以及

像素電極，設(shè)于所述鈍化層上且與所述漏電極電連接。

6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括步驟：

提供一基板；

在所述基板上制作一層金屬膜并圖案化處理形成一柵極層；在所述柵極層上表面制作復(fù)數(shù)個加強(qiáng)部；

在所述柵極層上制作一介電層，所述介電層完全包覆所述柵極層；

在所述介電層上制作一有源層，所述有源層完全包覆所述介電層；以及

在所述有源層上制作一層金屬膜并圖案化處理形成一源漏極層，所述源漏極層與所述有源層電連接；所述源漏極層包括源電極和漏電極，所述源電極設(shè)于所述有源層的一端，所述漏電極設(shè)于所述有源層的另一端。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述柵極層上表面制作復(fù)數(shù)個加強(qiáng)部步驟具體包括：

將通孔超薄氧化鋁膜模板設(shè)置在所述柵極層一側(cè)，用電子束蒸發(fā)或物理氣相沉積方式通過所述超薄氧化鋁膜模板制作所述加強(qiáng)部，再用氫氧化鈉溶液將所述超薄氧化鋁膜模板刻蝕去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述柵極層上表面制作復(fù)數(shù)個加強(qiáng)部步驟具體包括：

在所述柵極層上涂覆一光阻層，通過曝光顯影在所述光阻層上形成通孔，用電子束蒸發(fā)或物理氣相沉積在所述通孔內(nèi)制作所述加強(qiáng)部，再清洗去除所述光阻層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，在制作所述有源層步驟之后以及在制作所述源漏極層步驟之前還包括：

在所述有源層上制作一阻擋層；

其中，在制作所述源漏極層步驟中，所述源電極設(shè)于所述有源層及所述阻擋層的一端，所述漏電極設(shè)于所述有源層及所述阻擋層的另一端。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5中任一項所述的薄膜晶體管。