[發明專利]半導體元件的光罩的制造方法在審
| 申請號: | 201911024414.7 | 申請日: | 2019-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN111123640A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 田福安;黃旭霆;劉如淦 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 元件 制造 方法 | ||
一種半導體元件的光罩的制造方法,包含接收對應于該半導體元件的遮罩圖案的多個熱點區域。將多個熱點區域分類為二個或更多熱點群組。熱點群組包含至少兩熱點區域的第一熱點群組,其中相同或相似的熱點區域被分類至相同的熱點群組。校正第一熱點群組的第一熱點區域,以產生第一熱點群組的第一熱點區域的優化。使用第一熱點群組的第一熱點區域的優化來校正第一熱點群組的其他熱點區域,以產生第一熱點群組的該些其他熱點區域的優化。
技術領域
本揭露是關于半導體元件的光罩的制造方法。
背景技術
在集成電路(integrated circuit;IC)設計中,數個集成電路的布局被產生。這些布局包括了在晶圓上生產的結構的對應幾何形狀。這些布局可能是被投影在晶圓上的遮罩布局,以形成集成電路。微影制程將光罩布局的圖案轉移至晶圓上,使得蝕刻、植入,或其他步驟得以在晶圓上的特定區域被實施。將光罩布局的圖案轉移至晶圓上可能會產生光罩布局數據缺陷(mask layout data defect),此缺陷為半導體制造中的主要挑戰。光學鄰近校正(optical proximity correction;OPC)可以用于減少光罩布局數據缺陷。在光學鄰近校正后,光罩布局數據缺陷可以一次一個的被修正。一次一個地校正每一個缺陷是非常浪費時間的。故對于光學微影或是非光學微影來說,有效率的光學鄰近校正制程是必須的。
發明內容
一種半導體元件的光罩的制造方法,包含接收對應于該半導體元件的遮罩圖案的多個熱點區域。將多個熱點區域分類為二個或更多熱點群組。熱點群組包含至少兩熱點區域的第一熱點群組,其中相同或相似的熱點區域被分類至相同的熱點群組。校正第一熱點群組的第一熱點區域,以產生第一熱點群組的第一熱點區域的優化。使用第一熱點群組的第一熱點區域的優化來校正第一熱點群組的其他熱點區域,以產生第一熱點群組的該些其他熱點區域的優化。
附圖說明
閱讀以下詳細敘述并搭配對應的附圖,可了解本揭露的實施例的多個態樣。應注意,根據業界中的標準做法,多個特征并非按比例繪制。事實上,多個特征的尺寸可任意增加或減少以利于討論的清晰性。
圖1為本揭露的部分實施例的范例集成電路制造流程的示意圖;
圖2為本揭露的部分實施例的用于改善光罩布局的范例遮罩優化器的示意圖;
圖3A及圖3B為本揭露的部分實施例的具有兩個缺陷區域的范例布局輪廓;
圖4為本揭露的部分實施例的用于改善光罩布局的范例系統的示意圖;
圖5為本揭露的部分實施例的范例缺陷校正器的示意圖;
圖6為本揭露的部分實施例的范例缺陷校正器的示意圖;
圖7為本揭露的部分實施例的校正遮罩布局的范例制程的流程圖;
圖8A及圖8B為本揭露的部分實施例的光罩數據產生機構。
【符號說明】
100 集成電路制造流程
102 集成電路設計模塊
104 遮罩優化器
106 遮罩投影系統
108 晶圓
122 光學鄰近校正優化器
130 遮罩投影器
132 缺陷探測器
133 缺陷探測及校正系統
134 缺陷校正器
136 缺陷區域
138 投影遮罩布局
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





