[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體元件的光罩的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911024414.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111123640A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田福安;黃旭霆;劉如淦 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F1/36 | 分類(lèi)號(hào): | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 元件 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體元件的光罩的制造方法,其特征在于,包含:
接收對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體元件的一遮罩圖案的多個(gè)熱點(diǎn)區(qū)域;
將該些多個(gè)熱點(diǎn)區(qū)域分類(lèi)為二個(gè)或更多熱點(diǎn)群組。該些熱點(diǎn)群組包含至少兩熱點(diǎn)區(qū)域的一第一熱點(diǎn)群組,其中相同或相似的該些熱點(diǎn)區(qū)域被分類(lèi)至相同的該些熱點(diǎn)群組;
校正該第一熱點(diǎn)群組的一第一熱點(diǎn)區(qū)域,以產(chǎn)生該第一熱點(diǎn)群組的該第一熱點(diǎn)區(qū)域的一優(yōu)化;以及
使用該第一熱點(diǎn)群組的該第一熱點(diǎn)區(qū)域的該優(yōu)化來(lái)校正該第一熱點(diǎn)群組的其他熱點(diǎn)區(qū)域,以產(chǎn)生該第一熱點(diǎn)群組的該些其他熱點(diǎn)區(qū)域的多個(gè)優(yōu)化。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線(xiàn)掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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