[發明專利]半導體元件的光罩的制造方法在審
| 申請號： | 201911024414.7 | 申請日： | 2019-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN111123640A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 田福安;黃旭霆;劉如淦 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件的光罩的制造方法，其特征在于，包含：
接收對應于該半導體元件的一遮罩圖案的多個熱點區域；
將該些多個熱點區域分類為二個或更多熱點群組。該些熱點群組包含至少兩熱點區域的一第一熱點群組，其中相同或相似的該些熱點區域被分類至相同的該些熱點群組；
校正該第一熱點群組的一第一熱點區域，以產生該第一熱點群組的該第一熱點區域的一優化；以及
使用該第一熱點群組的該第一熱點區域的該優化來校正該第一熱點群組的其他熱點區域，以產生該第一熱點群組的該些其他熱點區域的多個優化。
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- 專利分類
G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
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