[發(fā)明專利]TFT電性偵測校正方法、裝置、系統(tǒng)及顯示裝置

有效

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• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN110767132B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 付艦航
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00;G09G3/3208;G09G3/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃靈飛

本申請公開了一種TFT電性偵測校正方法、裝置、系統(tǒng)及顯示裝置，該方法包括以下步驟：獲取顯示設備的各個子像素的柵源電壓比；在預設采樣時間內(nèi)偵測各驅(qū)動型TFT的輸出電壓，得到各偵測電壓，并根據(jù)各驅(qū)動型TFT的輸入電壓和各預設采樣時間內(nèi)的偵測電壓，得到各常量K值；根據(jù)標準子像素的柵源電壓比，標準子像素的常量K值和補償子像素的柵源電壓比，依次對各補償子像素的常量K值進行校正，得到各補償因子；根據(jù)各補償因子，依次對相應的補償子像素的像素電壓進行校正，得到校正后的像素電壓。本申請能夠?qū)崿F(xiàn)消除因子像素的柵源電壓比的差異造成的相應常量K值的誤差，從而提升了常量K值偵測的準確性，提高了TFT電學偵測的補償精度。

技術領域

本申請涉及顯示器技術領域，更具體地說，涉及一種TFT電性偵測校正方法、裝置、系統(tǒng)及顯示裝置。

背景技術

隨著顯示設備的發(fā)展，對于顯示設備的驅(qū)動電路成為了重要的研究熱點。對于電流型驅(qū)動的顯示設備，其發(fā)光亮度取決于流過Driving TFT(驅(qū)動型薄膜晶體管)的柵源電流。而顯示設備的每個子像素的常量K值都存在一定差異，導致輸入相同的電壓，顯示器的亮度不同。其中，K值與TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的參數(shù)特性相關。目前，業(yè)內(nèi)通過外部偵測補償技術補償常量K值的差異，常量K值偵測的準確性低，補償誤差大。

在實現(xiàn)過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)技術中至少存在如下問題：傳統(tǒng)的通過外部偵測補償技術補償常量K值，常量K值偵測的準確性低，補償誤差大。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對傳統(tǒng)的通過外部偵測補償技術補償常量K值，常量K值偵測的準確性低，補償誤差大的問題，提供一種TFT電性偵測校正方法、裝置、系統(tǒng)及顯示裝置。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種TFT電性偵測校正方法，包括以下步驟：

獲取顯示設備的各個子像素的柵源電壓比；柵源電壓比為采樣階段驅(qū)動型TFT的柵源電壓與感應階段驅(qū)動型TFT的柵源電壓的比值；

在預設采樣時間內(nèi)偵測各驅(qū)動型TFT的輸出電壓，得到各偵測電壓，并根據(jù)各驅(qū)動型TFT的輸入電壓和各預設采樣時間內(nèi)的偵測電壓，得到各常量K值；

根據(jù)標準子像素的柵源電壓比，標準子像素的常量K值和補償子像素的柵源電壓比，依次對各補償子像素的常量K值進行校正，得到各補償因子；標準子像素為從各子像素中的任意選取一個得到；補償子像素為各子像素中除去標準子像素剩余的子像素；

根據(jù)各補償因子，依次對相應的補償子像素的像素電壓進行校正，得到校正后的像素電壓。

在其中一個實施例中，在預設采樣時間內(nèi)偵測各驅(qū)動型TFT的輸出電壓，得到各偵測電壓的步驟包括：

在所述采樣階段，基于預設采樣時間依次對各所述驅(qū)動型TFT的輸出電壓進行采樣，得到各所述偵測電壓。

在其中一個實施例中，獲取顯示設備的各個子像素的柵源電壓比的步驟包括：

將顯示設備的一個子像素為單位，獲取各子像素的柵源電壓比。

在其中一個實施例中，獲取顯示設備的各個子像素的柵源電壓比的步驟還包括：

將顯示設備的預設數(shù)量子像素作為像素區(qū)域，獲取各像素區(qū)域的區(qū)域柵源電壓比；

根據(jù)各區(qū)域柵源電壓比，得到各子像素的柵源電壓比；其中，同一像素區(qū)域內(nèi)的各子像素的柵源電壓比相同。

在其中一個實施例中，依次對各補償子像素的常量K值進行校正，得到各補償因子的步驟中，補償因子通過以下公式得到：