[發明專利]TFT電性偵測校正方法、裝置、系統及顯示裝置

有效

• 申請號: 201911024260.1
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN110767132B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 付艦航
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00;G09G3/3208;G09G3/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃靈飛

1.一種TFT電性偵測校正方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取顯示設備的各個子像素的柵源電壓比；所述柵源電壓比為采樣階段驅動型TFT的柵源電壓與感應階段所述驅動型TFT的柵源電壓的比值；

在預設采樣時間內偵測各所述驅動型TFT的輸出電壓，得到各偵測電壓，并根據各所述驅動型TFT的輸入電壓和各預設采樣時間內的所述偵測電壓，得到各常量K值；

根據標準子像素的柵源電壓比，所述標準子像素的常量K值和補償子像素的柵源電壓比，依次對各所述補償子像素的常量K值進行校正，得到各補償因子；所述標準子像素為從各所述子像素中的任意選取一個得到；所述補償子像素為各所述子像素中除去所述標準子像素剩余的子像素；

根據各所述補償因子，依次對相應的所述補償子像素的像素電壓進行校正，得到校正后的像素電壓。

2.根據權利要求1所述的TFT電性偵測校正方法，其特征在于，所述在預設采樣時間內偵測各所述驅動型TFT的輸出電壓，得到各偵測電壓的步驟包括：

在所述采樣階段，基于預設采樣時間依次對各所述驅動型TFT的輸出電壓進行采樣，得到各所述偵測電壓。

3.根據權利要求1所述的TFT電性偵測校正方法，其特征在于，所述獲取顯示設備的各個子像素的柵源電壓比的步驟包括：

將所述顯示設備的一個子像素為像素單位，獲取各所述子像素的柵源電壓比。

4.根據權利要求1所述的TFT電性偵測校正方法，其特征在于，所述獲取顯示設備的各個子像素的柵源電壓比的步驟還包括：

將所述顯示設備的預設數量子像素作為像素區域，獲取各所述像素區域的區域柵源電壓比；

根據各所述區域柵源電壓比，得到各所述子像素的柵源電壓比；其中，同一所述像素區域內的各所述子像素的柵源電壓比相同。

5.根據權利要求1所述的TFT電性偵測校正方法，其特征在于，所述依次對各所述補償子像素的常量K值進行校正，得到各所述補償因子的步驟中，所述補償因子通過以下公式得到：

其中，g_Ai為第i個所述補償子像素的所述補償因子，i為1,2,3……n(n為整數)；ΔV_B為所述標準子像素的偵測電壓；b為所述標準子像素的柵源電壓比；ΔV_Ai為第i個所述補償子像素的偵測電壓，i為1,2,3……n(n為整數)；a_i為第i個所述補償子像素的柵源電壓比，i為1,2,3……n(n為整數)。

6.一種TFT電性偵測校正裝置，其特征在于，包括：

柵源電壓比獲取單元，用于獲取顯示設備的各個子像素的柵源電壓比；所述柵源電壓比為采樣階段驅動型TFT的柵源電壓與感應階段所述驅動型TFT的柵源電壓的比值；

K值獲取單元，用于在預設采樣時間內偵測各所述驅動型TFT的輸出電壓，得到各偵測電壓，并根據各所述驅動型TFT的輸入電壓和各預設采樣時間內的所述偵測電壓，得到各常量K值；

K值補償單元，用于根據標準子像素的柵源電壓比，所述標準子像素的常量K值和補償子像素的柵源電壓比，依次對各所述補償子像素的常量K值進行校正，得到各補償因子；所述標準子像素為從各所述子像素中的任意選取一個得到；所述補償子像素為各所述子像素中除去所述標準子像素剩余的子像素；

電壓補償單元，用于根據各所述補償因子，依次相應的所述補償子像素的像素電壓進行校正，得到校正后的像素電壓。

7.一種TFT電性偵測校正系統，其特征在于，包括用于連接數據驅動器的處理器；所述處理器用于權利要求1至5中任一項所述TFT電性偵測校正方法的步驟。

8.根據權利要求7所述的TFT電性偵測校正系統，其特征在于，還包括連接所述處理器的存儲器；

所述存儲器用于存儲各子像素的柵源電壓比和各常量K值。