[發(fā)明專利]表面聲波濾波器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911019686.8
• 申請(qǐng)日: 2019-10-24
• 公開（公告）號(hào): CN110739391B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 項(xiàng)少華;王沖;王大甲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L41/312
• 分類號(hào): H01L41/312;H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供了一種表面聲波濾波器件及其制造方法，先將小尺寸的壓電晶圓分割成多個(gè)壓電晶粒，并臨時(shí)鍵合到大尺寸的載體晶圓上，由此可以在載體晶圓尺寸對(duì)應(yīng)的大尺寸晶圓加工機(jī)臺(tái)上完成表面聲波濾波器件的制作過程，即使得表面聲波濾波器件的制作工藝和大尺寸晶圓的加工工藝兼容，由此，避免大尺寸晶圓代工廠代工表面聲波濾波器件時(shí)重新購(gòu)置設(shè)備的問題，從而降低成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種表面聲波濾波器件及其制造方法。

背景技術(shù)

SAW(Surface Acoustic Wave，表面聲波)濾波器件是目前主流的壓電聲波濾波器件之一，能夠滿足通訊終端使用的小尺寸濾波類器件的需求，且目前主流的SAW濾波器件的制備工藝是4英寸(inch)晶圓工藝，這是因?yàn)槟壳斑€沒有成熟的8英寸壓電材料的生長(zhǎng)技術(shù)，而已有的6英寸壓電材料生長(zhǎng)技術(shù)存在片內(nèi)加工均一性不佳的問題。

然而，為了進(jìn)一步降低成本，目前MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微機(jī)電系統(tǒng))晶圓代工正逐漸向8英寸晶圓更替。顯然，SAW濾波器件與MEMS晶圓代工的晶圓尺寸始終存在一個(gè)鴻溝，SAW濾波器的制作和MEMS晶圓代工的工藝不兼容，因此，如果MEMS晶圓代工廠打算代工SAW濾波器件，則需要重新購(gòu)置相關(guān)的設(shè)備，這就大大不利于設(shè)備的折舊與成本的降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種表面聲波濾波器件及其制造方法，能夠使得表面聲波濾波器件的制作工藝和大尺寸晶圓的加工工藝兼容，降低成本。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種表面聲波濾波器件的制造方法，包括以下步驟：

提供壓電晶圓和載體晶圓，所述壓電晶圓的尺寸小于所述載體晶圓的尺寸；

將所述壓電晶圓分割成多個(gè)壓電晶粒，并將各個(gè)壓電晶粒臨時(shí)鍵合到所述載體晶圓上，且相鄰所述壓電晶粒之間的間隙作為切割道；

形成叉指型電極和第一焊盤于各個(gè)所述壓電晶粒的頂面上；

提供尺寸不小于所述載體晶圓且具有多個(gè)第二焊盤的封裝基板，將具有所述壓電晶粒的載體晶圓裝配到所述封裝基板上，且各個(gè)所述第一焊盤和相應(yīng)的所述第二焊盤對(duì)準(zhǔn)并進(jìn)行凸點(diǎn)鍵合；

將所述載體晶圓剝離，并沿各個(gè)所述切割道切割所述封裝基板，以得到多個(gè)表面聲波濾波器件。

可選地，通過包括涂覆鍵合膠水、貼鍵合膜和在所述載體晶圓上沉積激光釋放層中的至少一種方式，將各個(gè)壓電晶粒臨時(shí)鍵合到所述載體晶圓上。

可選地，根據(jù)所述臨時(shí)鍵合的方式來將所述載體晶圓剝離，所述剝離的方式包括熱滑動(dòng)剝離、機(jī)械剝離和激光剝離。

可選地，在將各個(gè)壓電晶粒臨時(shí)鍵合到所述載體晶圓上之后且在形成所述叉指型電極和所述第一焊盤于各個(gè)所述壓電晶粒的頂面上之前，還形成絕緣層于所述載體晶圓上，所述絕緣層填滿所述切割道并暴露出各個(gè)所述壓電晶粒的頂面；所述叉指型電極和第一焊盤均暴露出所述切割道中的所述絕緣層的頂面。

可選地，在形成所述叉指型電極和所述第一焊盤于各個(gè)所述壓電晶粒的頂面上之前和/或之后，還在所述壓電晶粒的頂面上形成溫度補(bǔ)償層，所述溫度補(bǔ)償層至少填充在所述叉指型電極的縫隙中并暴露出各個(gè)所述第一焊盤的頂面。

可選地，所述溫度補(bǔ)償層的材料包括未摻雜或摻雜的氧化硅。

可選地，形成所述溫度補(bǔ)償層、所述叉指型電極和所述第一焊盤的步驟包括：

在形成所述叉指型電極和所述第一焊盤于各個(gè)所述壓電晶粒的頂面上之前，覆蓋第一溫度補(bǔ)償層于各個(gè)所述壓電晶粒和所述絕緣層的表面上；

圖形化所述第一溫度補(bǔ)償層，以形成叉指槽和焊盤槽于各個(gè)所述壓電晶粒的頂面上；