[發(fā)明專利]表面聲波濾波器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911019686.8
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN110739391B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 項少華;王沖;王大甲
• 申請（專利權(quán)）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L41/312
• 分類號: H01L41/312;H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供壓電晶圓和載體晶圓，所述壓電晶圓的尺寸小于所述載體晶圓的尺寸；

將所述壓電晶圓分割成多個壓電晶粒，并將各個壓電晶粒臨時鍵合到所述載體晶圓上，且相鄰所述壓電晶粒之間的間隙作為切割道；

形成叉指型電極和第一焊盤于各個所述壓電晶粒的頂面上；

提供尺寸不小于所述載體晶圓且具有多個第二焊盤的封裝基板，將具有所述壓電晶粒的載體晶圓裝配到所述封裝基板上，且各個所述第一焊盤和相應(yīng)的所述第二焊盤對準并進行凸點鍵合；

將所述載體晶圓剝離，并沿各個所述切割道切割所述封裝基板，以得到多個表面聲波濾波器件。

2.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，通過包括涂覆鍵合膠水、貼鍵合膜和在所述載體晶圓上沉積激光釋放層中的至少一種方式，將各個壓電晶粒臨時鍵合到所述載體晶圓上。

3.如權(quán)利要求2所述的表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，根據(jù)所述臨時鍵合的方式來將所述載體晶圓剝離，所述剝離的方式包括熱滑動剝離、機械剝離和激光剝離。

4.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，在將各個壓電晶粒臨時鍵合到所述載體晶圓上之后且在形成所述叉指型電極和所述第一焊盤于各個所述壓電晶粒的頂面上之前，還形成絕緣層于所述載體晶圓上，所述絕緣層填滿所述切割道并暴露出各個所述壓電晶粒的頂面。

5.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，在形成所述叉指型電極和所述第一焊盤于各個所述壓電晶粒的頂面上之前和/或之后，還在所述壓電晶粒的頂面上形成溫度補償層，所述溫度補償層至少填充在所述叉指型電極的縫隙之間并暴露出各個所述第一焊盤的頂面。

6.如權(quán)利要求5所述的表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，所述溫度補償層的材料包括未摻雜或摻雜的氧化硅。

7.如權(quán)利要求5所述的表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，形成所述溫度補償層、所述叉指型電極和所述第一焊盤的步驟包括：

在形成所述叉指型電極和所述第一焊盤于各個所述壓電晶粒的頂面上之前，覆蓋第一溫度補償層于各個所述壓電晶粒和所述切割道中的絕緣層的表面上；

圖形化所述第一溫度補償層，以形成叉指槽和焊盤槽于各個所述壓電晶粒的頂面上；

沉積金屬層以填滿所述叉指槽和焊盤槽，并平坦化所述金屬層至所述第一溫度補償層的頂面，以形成所述叉指型電極和所述第一焊盤；

在所述第一溫度補償層、所述叉指型電極和所述第一焊盤的頂面上覆蓋第二溫度補償層，并圖案化所述第二溫度補償層，以暴露出所述第一焊盤的頂面，圖案化后的所述第一溫度補償層和圖案化后的所述第二溫度補償層構(gòu)成所述溫度補償層。

8.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，所述壓電晶圓的材料包括鈮酸鋰、鉭酸鋰、氮化鋁、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鋯鈦酸鉛和氧化鋅的至少一種。

9.如權(quán)利要求1所述的表面聲波濾波器件的制造方法，其特征在于，在將具有所述壓電晶粒的載體晶圓裝配到所述封裝基板上之前，先在所述第一焊盤或所述第二焊盤上植球，以在所述第一焊盤和所述第二焊盤對準后進行凸點鍵合。

10.一種表面聲波濾波器件，其特征在于，采用權(quán)利要求1～9中任一項所述的表面聲波濾波器件的制造方法制造；所述表面聲波濾波器件包括封裝在一起的封裝基板和壓電晶粒，所述壓電晶粒位于所述封裝基板上方；其中，所述封裝基板上設(shè)有第二焊盤，所述壓電晶粒面向所述封裝基板的一面上設(shè)有叉指型電極和第一焊盤，所述第一焊盤和第二焊盤對準并鍵合在一起，所述壓電晶粒和所述封裝基板之間提供有用于聲波諧振的空間。