[發(fā)明專利]一種制備六元陰極發(fā)射物質的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911018708.9 | 申請日: | 2019-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN110690085B | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉麗;劉冬梅 | 申請(專利權)人: | 成都國光電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J9/02 | 分類號: | H01J9/02 |
| 代理公司: | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 杜朗宇 |
| 地址: | 610100 四川省成都市經*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 陰極 發(fā)射 物質 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種制備四元陰極發(fā)射物質的方法,涉及陰極發(fā)射物質的制備領域;該方法是在鈧酸鹽中加入銪元素,從而實現了陰極的大發(fā)射電流。所述方法包括以下步驟:1)將硝酸鋇、硝酸鈣、硝酸鋁、硝酸鍶和碳酸銨溶于水中,將氧化鈧、氧化銪溶于硝酸溶液中,得混合溶液備用;2)將碳酸銨水溶液和氨水倒入步驟1)所得混合溶液中,靜置至出現沉淀;3)反復清洗沉淀物至無氯根、硝酸根,烘干,壓制成型,氫爐燒結,得四元陰極發(fā)射物質。
技術領域
本發(fā)明涉及陰極發(fā)射物質的制備領域,尤其是一種制備六元陰極發(fā)射物質的方法。
背景技術
目前我們主要使用的是含有鋇、鍶、鈧的三元發(fā)射物質,雖然能夠基本滿足目前電真空器件的要求,但極限使用對整管壽命、可靠性等仍有一定的影響。傳統陰極在滿足大電流密度、長壽命、能在盡量低的工作溫度下工作和微型化方面還是有一些不足。
發(fā)明內容
針對上述不足,本發(fā)明旨在提供一種制備六元陰極發(fā)射物質的方法,該方法是在鈧酸鹽中加入銪元素,從而實現了陰極的大發(fā)射電流。
為實現上述目的,本發(fā)明提供的技術方案是這樣的:一種制備六元陰極發(fā)射物質的方法,包括以下步驟:
1)將硝酸鋇、硝酸鈣、硝酸鋁、硝酸鍶和碳酸銨溶于水中,將氧化鈧、氧化銪溶于硝酸溶液中,得混合溶液備用;
2)將碳酸銨水溶液和氨水倒入步驟1)所得混合溶液中,靜置至出現沉淀;
3)反復清洗沉淀物至無氯根、硝酸根,烘干,壓制成型,氫爐燒結,得六元陰極發(fā)射物質。
作為本發(fā)明的一個具體實施例,在制備過程中,需先分別制備1-3號溶液,即:配制1號溶液,量取454.5ml去離子水倒入搪瓷容器內,稱取29.775g硝酸鋇,16.1g硝酸鈣,34g硝酸鋁,0.5g硝酸鍶,分別倒入容器中,加熱攪拌,使其溶解。用濾紙將溶液過濾,并加熱保溫在70~80℃,待用。配制2號溶液,量取10ml去離子水倒入燒杯內,量取10ml硝酸慢慢注入有去離子水的燒杯內,稱取1g氧化鈧倒入此燒杯中,加熱攪拌煮沸,直到所有氧化鈧全部溶解成透明液體為止。配制3號溶液:量取10ml去離子水倒入燒杯內,量取10ml硝酸慢慢注入有去離子水的燒杯內,稱取1g氧化銪倒入此燒杯中,加熱攪拌煮沸,直到所有氧化銪全部溶解成透明液體為止。再在不斷攪拌下,將2號、3號溶液倒入1號溶液中,并繼續(xù)攪拌2分鐘。
步驟2)所述的碳酸銨水溶液具體制備方法為:量取272.7ml去離子水倒入搪瓷容器內,量取68.2g碳酸銨注入搪瓷容器中,加熱(溫度不超過40℃)攪拌,使其溶,用濾紙將溶液過濾,并加熱保溫在35~40℃保存?zhèn)溆谩?/p>
所述步驟1)中硝酸鋇、硝酸鈣、硝酸鋁、硝酸鍶、氧化鈧和氧化銪的質量比為25~30:15~20:30~35:0.1~1:0.5~1.5:0.5~1.5;優(yōu)選地,所述步驟1)中硝酸鋇、硝酸鈣、硝酸鋁、硝酸鍶、氧化鈧和氧化銪的質量比為29.775:16.1:34:0.5:1:1。
所述步驟1)中,硝酸鋇與水的料液比為25~30g:450~460ml,優(yōu)選為29.775g:454.5ml;氧化鈧與硝酸溶液的料液比為0.5~1.5:15~25ml,優(yōu)選為1:20ml;硝酸溶液是指硝酸與水等體積混合后的溶液。
所述步驟2)中,碳酸銨水溶液是指碳酸銨與水按照65~70g:270~280ml混合,優(yōu)選為68.2g:272.7ml。
所述步驟2)中,氨水的加入量為:每65~70g碳酸銨加入30~35ml氨水,優(yōu)選為每68.2g碳酸銨加入31.4ml氨水。
所述步驟2)中沉淀物為碳酸鋇、碳酸鍶、碳酸鈧和碳酸銪。
所述步驟3)中所述清洗沉淀物的方式為加入70~80℃左右的去離子水2L,攪拌5~10分鐘后靜置。
所述步驟3)中烘干溫度為90~120℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于成都國光電氣股份有限公司,未經成都國光電氣股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911018708.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:導向觸座和帶有導向槽的跌落式熔斷器
- 下一篇:一種熒光燈芯柱固汞工藝





