[發明專利]三維半導體器件

在審

• 申請號: 201911017568.3
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN111106119A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 黃盛珉;任峻成;康范圭;安在昊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種三維半導體器件，包括：

下結構；

堆疊結構，設置在所述下結構上的第一區域和第二區域中，所述堆疊結構包括在垂直于所述下結構的上表面的垂直方向上堆疊的柵極圖案，所述柵極圖案包括在所述第二區域中設置成臺階結構的焊盤區域；以及

垂直溝道結構，設置在所述下結構上且具有面對所述柵極圖案的側表面，其中：

所述堆疊結構包括在第一方向上順序地布置在所述第二區域中的第一堆疊區域、第二堆疊區域和第三堆疊區域，

所述第一堆疊區域包括具有以第一高度為單位變化的臺階結構的第一臺階區域，

所述第二堆疊區域包括具有在所述第一方向上以大于所述第一高度的第二高度為單位降低的臺階結構的第二臺階區域，

所述第三堆疊區域包括向上成臺階的區域和向下成臺階的區域，

所述第三堆疊區域的所述向上成臺階的區域具有在所述第一方向上以所述第二高度為單位升高的臺階結構，以及

所述第三堆疊區域的所述向下成臺階的區域具有在所述第一方向上以所述第二高度為單位降低的臺階結構。

2.根據權利要求1所述的三維半導體器件，其中所述第三堆疊區域的所述向上成臺階的區域和所述第三堆疊區域的所述向下成臺階的區域在所述第一方向上順序地布置。

3.根據權利要求2所述的三維半導體器件，其中：

所述第三堆疊區域的所述向上成臺階的區域包括位于不同高度水平且在第二方向上順序地布置的第一向上成臺階的區域和第二向上成臺階的區域，

所述第三堆疊區域的所述向下成臺階的區域包括位于不同高度水平且在第二方向上順序地布置的第一向下成臺階的區域和第二向下成臺階的區域，以及

所述第二方向平行于所述下結構的所述上表面并且垂直于所述第一方向。

4.根據權利要求3所述的三維半導體器件，其中：

所述第三堆疊區域的所述第一向上成臺階的區域和所述第三堆疊區域的所述第一向下成臺階的區域在所述第一方向上順序地布置，

所述第三堆疊區域的所述第二向上成臺階的區域和所述第三堆疊區域的所述第二向下成臺階的區域在所述第一方向上順序地布置，

所述第三堆疊區域的所述第一向下成臺階的區域的焊盤區域位于比所述第三堆疊區域的所述第一向上成臺階的區域的焊盤區域低的水平，以及

所述第三堆疊區域的所述第二向下成臺階的區域的焊盤區域位于比所述第三堆疊區域的所述第二向上成臺階的區域的焊盤區域低的水平。

5.根據權利要求4所述的三維半導體器件，其中：

所述第三堆疊區域的所述第一向上成臺階的區域的所述焊盤區域設置成其中所述焊盤區域在所述第二方向上以所述第一高度為單位升高且在所述第一方向上以所述第二高度為單位升高的臺階結構，以及

所述第三堆疊區域的所述第二向上成臺階的區域的所述焊盤區域設置成其中所述焊盤區域在所述第一方向上以所述第二高度為單位升高的臺階結構。

6.根據權利要求5所述的三維半導體器件，其中：

所述第三堆疊區域的所述第一向下成臺階的區域的所述焊盤區域設置成其中所述焊盤區域在所述第二方向上以所述第一高度為單位升高且在所述第一方向上以所述第二高度為單位降低的臺階結構，以及

所述第三堆疊區域的所述第二向下成臺階的區域的所述焊盤區域設置成其中所述焊盤區域在所述第一方向上以所述第二高度為單位降低的臺階結構。

7.根據權利要求4所述的三維半導體器件，其中：

所述第二堆疊區域包括第一向下成臺階的區域和第二向下成臺階的區域，其中在所述第一方向上以所述第二高度為單位降低且在所述第二方向上以所述第一高度為單位升高的焊盤區域位于所述第一向下成臺階的區域中，其中在所述第一方向上以所述第二高度為單位降低的焊盤區域位于所述第二向下成臺階的區域中，以及

所述第二堆疊區域的所述第二向下成臺階的區域的所述焊盤區域位于所述第二堆疊區域的所述第一向下成臺階的區域的所述焊盤區域當中的，與所述第二堆疊區域的所述第二向下成臺階的區域相鄰的所述焊盤區域相同的高度水平。