[發明專利]硬掩模用組合物

有效

• 申請號: 201911017515.1
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN111458982B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 金烔永;鄭景文;趙庸桓;崔漢永
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;C08G8/04;C08G61/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;宋海花

本發明提供一種硬掩模用組合物，更詳細而言，通過包含含有化學式1或2所表示的重復單元的聚合物及溶劑，從而能夠形成具有優異的耐蝕刻性、涂布性和耐化學性的硬掩模層。化學式1和化學式2中，X為包含氧、氮或硫的取代基，R₁為氫、取代或非取代的碳原子數1～4的烷基、取代或非取代的碳原子數6～24的芳基或雜芳基，R₂為氫、羥基、取代或非取代的碳原子數6～24的芳基或取代或非取代的碳原子數6～24的雜芳基，R₃為取代或非取代的碳原子數6～24的芳基或6～24的雜芳基，R₄為取代或非取代的碳原子數6～24的亞芳基或亞雜芳基，n為1～50的整數。

技術領域

本發明涉及硬掩模用組合物。

背景技術

近年來，電子設備的小型化(miniaturization)和復雜化(complexity)所帶來的高集成設計使更加先進的材料和相關工序的開發加速，由此，利用現有光致抗蝕劑的光刻也需要新的圖案化材料和方法。

一般而言，在蝕刻對象膜上涂布光致抗蝕劑而形成光致抗蝕劑層，通過曝光及顯影工序而形成光致抗蝕劑圖案，將上述光致抗蝕劑圖案用作蝕刻掩模，將上述蝕刻對象膜部分地去除，從而可以形成預定的圖案。

為了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間形成防反射涂布(anti-refractive?coating；ARC)層。該情況下，會追加對于上述ARC層的蝕刻，因此上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的消耗量或蝕刻量可能會增加。此外，上述蝕刻對象膜的厚度增加或形成期望的圖案時所需的蝕刻量增加的情況下，可能無法確保所要求的上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的充分的耐蝕刻性。

因此，為了在圖案化工序中使光致抗蝕劑微細圖案無坍塌現象地以充分的深度轉印于基板上，會在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間追加作為堅固的中間膜的又稱為硬掩模層(hard?mask?layer)的有機膜。這樣的硬掩模層被要求充分的耐蝕刻性、耐化學性等特性以能夠在多種蝕刻過程期間堅挺，且有必要通過旋涂工序以均勻的厚度形成。

韓國公開專利第10-2016-0088763號公開了一種涉及旋涂用硬掩模組合物的技術。但是，上述專利文獻包含石墨烯共聚物，因此相對地溶解性會顯著降低而在涂布性方面不利。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：韓國公開專利第10-2016-0088763號

發明內容

所要解決的課題

本發明的目的在于，提供用于形成具有由于的耐蝕刻性、涂布性和耐化學性的硬掩模層的硬掩模用組合物。

解決課題的方法

本發明提供一種硬掩模用組合物，其包含含有以下化學式1或以下化學式2所表示的重復單元結構的聚合物、以及溶劑。

[化學式1]

[化學式2]

上述化學式1和化學式2中，各自獨立地，X為包含氧(O)、氮(N)或硫(S)的取代基，R₁為氫、取代或非取代的碳原子數1～4的烷基、取代或非取代的碳原子數6～24的芳基、或取代或非取代的碳原子數6～24的雜芳基，

R₂為氫、羥基、取代或非取代的碳原子數6～24的芳基、或取代或非取代的碳原子數6～24的雜芳基，

R₃為取代或非取代的碳原子數6～24的芳基、或取代或非取代的碳原子數6～24的雜芳基，