[發明專利]寡核苷酸的合成方法、合成裝置在審
| 申請號: | 201911017315.6 | 申請日: | 2019-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN112442101A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 商逸璇;萬江雪;徐君;趙遠錦 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | C07H21/04 | 分類號: | C07H21/04;C07H21/00;C07H1/00 |
| 代理公司: | 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329 | 代理人: | 張振;王君 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 寡核苷酸 合成 方法 裝置 | ||
1.一種寡核苷酸的合成方法,其特征在于,包括:
在第一微陣列底板的親水區加入第一化合物,其中,所述第一微陣列底板的親水區中包括羥基,所述第一微陣列底板的親水區中的羥基和所述第一化合物反應,在所述第一微陣列底板的親水區中生成第二化合物,所述第一化合物和所述第二化合物為包括羧基的化合物;
通過所述第二化合物和胸苷發生反應,在所述第一微陣列底板的親水區合成寡核苷酸,得到第二微陣列底板,其中,所述胸苷帶有羥基,所述第二微陣列底板的親水區中包括所述寡核苷酸。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述第一微陣列底板的親水區加入溴異丁酰溴BIBB溶液,并通過所述第一微陣列底板的親水區中的羥基與所述第一化合物發生原子轉移自由基聚合ATRP反應,生成所述第二化合物。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一化合物為聚丙烯酸。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
對所述第二微陣列底板的親水區進行氨水解處理,得到寡核苷酸和帶有氨基的第三微陣列底板。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述帶有氨基的第三微陣列底板上加入碳酸鈉-甲醇溶液,得到所述第一微陣列底板。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
對底板進行處理,得到所述第一微陣列底板。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一微陣列底板還包括疏水區,
所述對底板進行處理,得到所述第一微陣列底板,包括:
對所述底板表面進行疏水處理,使得所述底板表面具有疏水區;
對所述疏水區的表面進行親水處理,使得所述疏水區的表面具有親水區;
將模具覆蓋在所述底板的親水區,所述模具為帶有凸起的微陣列,所述模具的凸起與所述底板的親水區接觸;
將所述模具從所述底板的親水區剝離,使得所述底板上與所述模具的凸起接觸的部分暴露出所述疏水區,形成所述第一微陣列底板。
8.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一微陣列底板還包括疏水區,
所述對底板進行處理,得到所述第一微陣列底板,包括:
將模具與所述底板接觸,所述模具為帶有凸起的微陣列,所述模具的凸起為親水區,所述模具的凸起與所述底板接觸;
對所述底板中未與所述模具的凸起接觸的部分進行疏水處理;
將所述模具從所述底板剝離,形成所述第一微陣列底板,其中,所述第一微陣列底板上與所述模具的凸起接觸的部分為所述第一微陣列底板的親水區,所述第一微陣列底板上未與所述模具的凸起接觸的部分為所述第一微陣列底板的疏水區。
9.根據權利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述模具為聚二甲基硅氧烷PDMS模具。
10.根據權利要求9所述的方法,所述方法還包括:
通過光刻法在器皿上制備微陣列區域;
將聚二甲基硅氧烷PDMS倒在所述微陣列區域上進行固化;
將固化的所述PDMS從所述器皿上剝離,得到所述PDMS模具。
11.根據權利要求8至10中任一項所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
對所述模具進行等離子處理,使得所述模具的凸起為親水區。
12.根據權利要求7至11中任一項所述的方法,其特征在于,所述疏水處理包括:
將所述底板和疏水劑接觸,并進行蒸鍍處理,使得所述底板表面具有疏水區。
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