[發明專利]集成電路（IC）芯片裝置

在審

• 申請號: 201911016899.5
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN111106077A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: C·德耶拉希-切克;B·奧爾;M·拉杜納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李興斌

本文公開的示例涉及集成電路(IC)芯片裝置。示例集成電路(IC)封裝可以包括第一半導體芯片和第二半導體芯片，第一半導體芯片包括第一金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，第二半導體芯片被安裝在該IC封裝的殼體內。第二半導體芯片可以包括第二MOSFET和配置有用于第一MOSFET的第一驅動器和用于第二MOSFET的第二驅動器的控制電路。第一半導體芯片可以與IC封裝的基部相對地安裝到第二半導體芯片。

背景技術

集成電路(IC)可以包括電子電路的一個或多個部件。一個或多個部件可以被包括在半導體芯片(例如，硅芯片)內。在一些情況下，可以將多個半導體芯片組合以在單個封裝殼體內形成電子電路。

發明內容

根據一些實施方式，一種集成電路(IC)封裝可以包括第一半導體芯片和第二半導體芯片，第一半導體芯片包括第一金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，第二半導體芯片被安裝在該IC封裝的殼體內。第二半導體芯片可以包括第二MOSFET和控制電路，控制電路配置有用于第一MOSFET的第一驅動器和用于第二MOSFET的第二驅動器。第一半導體芯片可以與IC封裝的基部相對地被安裝到第二半導體芯片。

根據一些實施方式，一種系統可以包括第一金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)；第二MOSFET，其中第一MOSFET的源極連接到第二MOSFET的漏極；以及控制電路，其用以控制到第一MOSFET或第二MOSFET的信號。第一MOSFET可以在第一半導體芯片上，并且第二MOSFET和控制電路可以在與第一半導體芯片分離的第二半導體芯片上。第一半導體芯片可以在IC封裝的殼體內被安裝到第二半導體芯片上。

根據一些實施方式，一種方法可以包括將第一半導體芯片安裝到第二半導體芯片的導電層，使得第一半導體芯片和第二半導體芯片被配置成裝配在集成電路(IC)封裝的殼體內，其中第一半導體芯片包括第一金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)；以及將第二半導體芯片固定在IC封裝的基部上，其中IC封裝的基部對應于IC封裝的引線框側，其中導電層與IC封裝的基部相對；并且其中第二半導體芯片包括：第二MOSFET和控制電路，控制電路包括用于第一MOSFET的第一驅動器和用于第二MOSFET的第二驅動器。

附圖說明

圖1A和圖1B是與本文描述的示例集成電路封裝相關聯的圖。

圖2和圖3是圖1A的集成電路封裝的示例實施方式的框圖。

圖4A-圖4C是如本文所述的示例實施方式的圖。

圖5是與提供如本文所述的集成電路芯片裝置相關聯的示例方法的流程圖。

具體實施方式

示例實施方式的以下詳細描述參考附圖。不同附圖中的相同附圖標記可以標識相同或相似的元件。

在一些情況下，多個半導體芯片要被包括在同一個集成電路(IC)封裝內。例如，具有半橋(其包括一對金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET))的IC封裝可能要求在IC封裝中包括多個半導體芯片(例如，這些MOSFET中的每個MOSFET在單獨的半導體芯片上和/或半橋的控制電路在單獨芯片上)。半橋可以用于打開電機驅動器。在一些實施方式中，在反向塊應用中，用于MOSFET的驅動器(例如，柵極驅動器)可以被包括在與IC封裝內的MOSFET分離的單獨的半導體芯片上。